Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор BTS141 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
189,88 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BTS141 – оригінал, демонтаж б/в: n-канальний розумний ключ HITFET Infineon у корпусі D2PAK, знятий з плати і перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Rds(on) | 25 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) при Tj 150 °C | 45 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А) |
| Rds(on) при Vin 5 В | 31 мОм (typ., Id 12 А, Tj 25 °C) |
| Обмеження струму Id(lim) | 25 А |
| Номінальний струм Id(ISO) | 12 А (Vin 10 В, Vds 0.5 В, Tc 85 °C) |
| Потужність Ptot | 149 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
BTS141 – n-канальний розумний ключ нижнього плеча HITFET Infineon (MOSFET із захистами) у корпусі D2PAK. Напруга Vds – 60 В. Опір відкритого каналу Rds(on) – 25 мОм типово при Vin 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C, і 45 мОм типово при Tj 150 °C. При Vin 5 В, Id 12 А, Tj 25 °C – 31 мОм типово. Обмеження струму Id(lim) – 25 А. Номінальний струм Id(ISO) – 12 А (Vin 10 В, Vds 0.5 В, Tc 85 °C). Потужність розсіювання – 149 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet напругу, обмеження струму, Rds(on), набір захистів і корпус із розпіновкою. Це ключ із захистами, а не звичайний MOSFET, тому проста заміна польовим транзистором може не підійти.
Де застосовують
- Резистивні, індуктивні й ємнісні навантаження в ключовому або лінійному режимі.
- Ключ для 12 В та 24 В, сумісний з мікроконтролером.
- Заміна електромеханічних реле та дискретних схем.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити BTS141?
Шукайте ключ нижнього плеча з такими самими напругою, обмеженням струму, захистами, корпусом і розпіновкою. Порівнюйте з datasheet.
Чи підходить BTS141 для керування від мікроконтролера?
Так, за даними виробника це ключ для 12 В та 24 В, сумісний з мікроконтролером.
Чим BTS141 відрізняється від звичайного польового транзистора?
Це розумний ключ HITFET: n-канальний MOSFET із вбудованими захистами. Обмеження струму Id(lim) – 25 А.
Документація виробника: BTS141 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.