Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P
105,75 ₴
50 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
50 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 40N60NPFD (SGT40N60NPFD) Silan Field Stop з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT N-канал Field Stop з діодом |
| Напруга Vce | 600 В |
| Номінальний струм колектора | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) typ | 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 105 нс |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | так, FRD |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
40N60NPFD (SGT40N60NPFD) – IGBT-транзистор Silan типу Field Stop з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Напруга колектор-емітер Vce – 600 В, номінальний струм колектора – 40 А. Імпульсний струм Icm – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В, максимум 2,7 В; при Tc 125 °C – 2.1 В. Заряд затвора Qg – 100 нКл (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff – 0.68 мДж, час спаду tf – 105 нс (Vce 400 В, Ic 40 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, індуктивне навантаження). Пряма напруга діода Vfm – 1.9 В при If 20 А, Tc 25 °C, максимум 2,6 В. Максимальна температура переходу 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vce, струм колектора, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність діода та корпус TO-3P. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS) і корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Чим замінити 40N60NPFD?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-3P, Vce не нижче 600 В, вбудований діод, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. Номер SGT40N60NPFD вказаний у назві як позначення цієї ж деталі.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в 40N60NPFD вбудований діод?
Так, літера D у позначенні означає вбудований швидкий діод FRD. Пряма напруга Vfm – 1.9 В при If 20 А і Tc 25 °C.
Для чого використовують 40N60NPFD?
За даними виробника – в індукційному нагріві, джерелах безперебійного живлення (UPS), імпульсних джерелах живлення (SMPS) і корекції коефіцієнта потужності (PFC).
Документація виробника: SGT40N60NPFDPN (Silan) Rev.1.4.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.