Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
58,28 ₴
75 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
75 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRF3205 – N-канальний польовий транзистор HEXFET у корпусі TO-220, оригінал. Напруга стік-витік 55 В, струм стоку 110 А при TC = 25 °C. Може замінити CEP3205, HRF3205, KEP3205, SSF5508.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
IRF3205 – N-канальний польовий транзистор HEXFET виробництва Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-220. Напруга стік-витік V(BR)DSS – 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку ID – 110 А при TC = 25 °C і VGS = 10 В, 80 А при TC = 100 °C і VGS = 10 В. Опір відкритого каналу RDS(on) – до 8,0 мОм (макс., VGS = 10 В, ID = 62 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА), заряд затвора Qg – до 146 нКл (макс., ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Напруга затвор-витік – до ±20 В, робоча температура переходу – -55…+175 °C.
Оригінал, не демонтаж. За назвою товару IRF3205 може замінити CEP3205, HRF3205, KEP3205 і SSF5508. Заміна одностороння: зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи інший транзистор, порівнюйте тип каналу, корпус, напругу, струм і RDS(on) при тому самому VGS. Якщо заряд затвора Qg вдвічі більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Комутація в промислових і комерційних пристроях
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IRF3205?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з напругою не нижче 55 В, струмом не нижче потрібного вам і RDS(on) не гіршим при VGS = 10 В. Виробник заміни не називає, тому порівнюйте datasheet самостійно.
Що IRF3205 може замінити?
За назвою товару – CEP3205, HRF3205, KEP3205 і SSF5508. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Яка пряма напруга вбудованого діода?
VSD – до 1,3 В (TJ = 25 °C, IS = 62 А, VGS = 0 В). Час зворотного відновлення trr – 69 нс типово, 104 нс макс. (TJ = 25 °C, IF = 62 А).
Документація виробника: IRF3205PbF, Rev. 2.1.
Параметри наведено за datasheet Infineon; потужність розсіювання в тексті не вказана.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 400 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В) | 10 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В) | 6.3 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.) | 0.55 Ом |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Qg (макс.) | 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP22N50A ( IRFP22N50 ) оригінал демонтаж (500V,22A,277W,0.23R) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (мін.) |
| Струм стоку Id | 22 А (TC = 25 °C); 14 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.23 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 13 А) |
| Потужність Pd | 277 Вт (TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3450 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK12A50D ( K12A50D ) оригінал , TO220F(заміна для K12N50D )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds (TC 25 °C) | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 12 А |
| Rds(on) | 0,52 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1 А) |
| Qg | 29 нКл тип. (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 45 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.