Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 50T65FESC ( MBQ50T65FESC ) оригінал (Заміна для 50T65FDSC , MBQ50T65FDSC ), TO247
164,97 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
50T65FESC (MBQ50T65FESC) – оригінальний IGBT-транзистор MagnaChip Field Stop з вбудованим діодом, 650 В, 50 А (Tc 100 °C), TO-247. Для PFC, UPS, зварювання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 50 А (Tc 100 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.85 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Pd | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Qg | 287 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | MagnaChip |
| Стан | Оригінал |
50T65FESC (MBQ50T65FESC) – IGBT-транзистор Field Stop виробництва MagnaChip з вбудованим діодом, корпус TO-247. За даними документа MBQ50T65FESCTH напруга Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C (обмежено Tvjmax) і 50 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В тип., 2.4 В макс. при Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C; 2.2 В тип. при Tvj 175 °C. Потужність розсіювання – 375 Вт при Tc 25 °C і 188 Вт при Tc 100 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 287 нКл при Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Деталь оригінал, не демонтаж. Діод: Vf 1.65 В тип. при If 30 А, Tvj 25 °C, trr 80 нс тип. при If 30 А, diF/dt 1000 А/мкс. 50T65FESC може замінити 50T65FDSC і MBQ50T65FDSC. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- PFC
- UPS
- Інвертори для фотоелектричних систем
- Зварювання
- Індукційні плити (IH Cooker)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора за зарядом Qg. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора за зарядом Qg. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Напруга Vces вища, струм при 100 °C на нижній межі правила. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Що може замінити 50T65FESC?
За назвою товару 50T65FESC може замінити 50T65FDSC і MBQ50T65FDSC. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити 50T65FESC, якщо його немає?
У каталозі є JT050N065WED і YGW75N65HP (Vces 650 В, Ic при 100 °C не менше 50 А). Порівняйте datasheet перед заміною.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка максимальна температура переходу?
175 °C, робочий діапазон –40…+175 °C.
Документація виробника: MBQ50T65FESCTH (MagnaChip Semicon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.