Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AP85GT33SW ( 85GT33SW ) , TO3P оригінал
211,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
AP85GT33SW (85GT33SW) – IGBT-транзистор 330 В у корпусі TO-3P, оригінал. Силовий ключ з керуванням напругою на затворі.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 330 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3,0…5,0 В |
| Корпус | TO-3P |
| Маркування | 85GT33SW |
| Стан | Оригінал |
AP85GT33SW (85GT33SW) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі TO-3P. Точного даташиту на AP85GT33SW не знайшли. Найближчий схожий даташит – IXGQ90N33TCD1 (IXYS) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 330 В, напруга затвор–емітер ±20 В, порогова напруга Vge(th) від 3,0 до 5,0 В, температура переходу до +150 °C. Документ описує деталь на інший струм, тому струм колектора, потужність і напругу насичення з нього не наводимо. За даташитом IXGQ90N33TCD1 такі транзистори ставлять у драйвери плазмових панелей. Стан – оригінал.
Заміну підбирайте за корпусом TO-3P і напругою не нижче 330 В; струм і наявність вбудованого діода звіряйте з документацією на вашу схему. Корпус TO-3P кріпиться до радіатора через ізоляційну прокладку, якщо радіатор не ізольований від схеми. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- драйвери плазмових панелей (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити AP85GT33SW?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з напругою колектор–емітер не нижче 330 В. Струм колектора і наявність діода звіряйте з документацією на вашу схему.
Під яким ще номером він зустрічається?
На деталі може бути маркування 85GT33SW.
Звідки параметри AP85GT33SW?
Точного даташиту на AP85GT33SW не знайшли. Параметри взято з найближчого схожого даташиту – IXGQ90N33TCD1 (IXYS) у корпусі TO-3P. Струм і потужність там для деталі 90 А, тому їх не наводимо.
Найближчий datasheet: IXGQ90N33TCD1 (IXYS).
Точного даташиту на AP85GT33SW не знайдено. Найближчий схожий даташит – IXGQ90N33TCD1 (IXYS), корпус TO-3P. З нього взято тільки параметри, які не залежать від струму деталі.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.