Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6
164,50 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HGQ022N03A – N-канальний MOSFET CR Micro у корпусі PDFN5x6 для ключів навантаження та ШІМ-схем. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм Id (TC=25 °C, кристал) | 140 А |
| Струм Id (TC=25 °C, корпус) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 94 А |
| Rds(on) | 1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Заряд затвора Qg | 52,5 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 78 Вт (TC=25 °C) |
| Корпус | PDFN-8 (5×6) |
| Стан | Оригінал |
HGQ022N03A (маркування 022N03A) – N-канальний кремнієвий польовий транзистор CR Micro у корпусі PDFN5x6. Напруга Vds 30 В при VGS=0 В, ID=250 мкА. Струм стоку Id 140 А при TC=25 °C (ліміт кристала), 100 А при TC=25 °C (ліміт корпусу) і 94 А при TC=100 °C. Rds(on) 1,6 мОм (тип.), 2,2 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=19 А; при VGS=4,5 В – 2,8 мОм (тип.), 3,75 мОм (макс.). Порогова напруга Vgs(th) 1,0–2,5 В (тип. 1,5 В) при VDS=VGS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg 52,5 нКл при VGS=10 В, VDD=15 В, ID=20 А. Вхідна ємність Ciss типово 2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 78 Вт при TC=25 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал, Vds, Id, Rds(on) при тій самій напрузі на затворі, заряд затвора й корпус PDFN5x6: розпіновка в різних виробників може відрізнятися.
Де застосовують
- Ключ навантаження та ШІМ-схеми
- Блоки живлення адаптерів і зарядних пристроїв
- Електронні сигарети, електроінструмент
Чим замінити HGQ022N03A?
Підходить MOSFET з тим самим N-каналом, Vds не нижче 30 В, Id не нижче потрібного вам струму, Rds(on) не вищим за 2,2 мОм при VGS=10 В і корпусом PDFN5x6. Взаємозамінність перевіряйте за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи можна керувати затвором від 4,5 В?
Для VGS=4,5 В у документі наведено Rds(on) 2,8 мОм (тип.), 3,75 мОм (макс.). Поріг Vgs(th) 1,0–2,5 В.
Чому в Id два значення при 25 °C?
140 А – ліміт кристала, 100 А – ліміт корпусу PDFN5x6. Для розрахунку орієнтуйтеся на менше значення.
Документація виробника: HGQ022N03A (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.