Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

216,20 ₴

30 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

30 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

TK15A50D (K15A50D) – N-канальний MOSFET Toshiba на 500 В і 15 А в корпусі TO-220SIS (TO220F). Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал
Опис

TK15A50D (позначення K15A50D) – N-канальний польовий транзистор Toshiba серії π-MOSVII у корпусі TO-220SIS (SC-67), у назві товару – TO220F. Максимальна напруга стік-витік Vdss – 500 В, струм стоку Id (DC) – 15 А при Ta 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.24 Ом типово і 0.3 Ом максимум при Vgs 10 В, Id 7.5 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при Vds 10 В, Id 1 мА. Вхідна ємність Ciss типово 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 50 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура каналу Tch – 150 °C, напруга затвор-витік Vgss – ±30 В.

Стан: оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на канал (потрібен N), напругу не нижче 500 В, струм не нижче 15 А, Rds(on) не гірше і той самий корпус TO-220SIS з такою ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Імпульсні регулятори живлення (switching regulator applications)
Часто питають
Чим замінити TK15A50D?

Підійде N-канальний MOSFET у корпусі TO-220SIS з напругою не нижче 500 В, струмом не нижче 15 А і Rds(on) не гірше 0.3 Ом при Vgs 10 В. Порівнюйте параметри за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для чого застосовується TK15A50D?

Toshiba вказує в datasheet імпульсні регулятори живлення (switching regulator applications).

Який у TK15A50D корпус?

TO-220SIS (SC-67), у назві товару – TO220F. Розпіновку звіряйте за datasheet.

Datasheet

Документація виробника: TK15A50D Toshiba Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type.

Параметри наведено за datasheet виробника Toshiba.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

TK15A50D Toshiba Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (CoolMOS P7)
Напруга Vds600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max
Струм стоку Id48 А (Tc 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)30 А (Tc 100 °C)
Rds(on)0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА)
Заряд затвора Qg67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В)
Вхідна ємність Ciss2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц)
Потужність Pd164 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникFairchild Semiconductor
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)24 А
Струм стоку Id (100 °C)15.2 А
Rds(on)0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А)
Заряд затвора Qg90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET, N-канал
ВиробникVishay
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id (25 °C)23 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (100 °C)15 А (VGS = 10 В)
Rds(on)0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А)
Заряд затвора Qg150 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd370 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Час відновлення діода trr170 нс тип.
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5