IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )

IGBT-транзистор MBQ40T65QES (у продажу також відомий як 40T65QES) – оригінальний N-канальний IGBT з технологією Field Stop Trench від Magnachip Semiconductor, у корпусі TO-247. Максимальна напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при TC=25 °C і 40 А при TC=100 °C (обмежено максимальною температурою переходу). Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово / 2.3 В максимум при Ic=40 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C, і зростає до 2.3 В при Tvj=175 °C. Вбудований антипаралельний швидкий діод (FRD) має Vf 1.5 В типово при If=20 А та час зворотного відновлення trr 60 нс. Повний заряд затвора Qg – 60 нКл при Vce=520 В, Ic=40 А, Vge=15 В; порогова напруга затвора Vge(th) – 3.5–6.5 В, типово 5.0 В. Розсіювана потужність Pd – 230 Вт при TC=25 °C, робочий діапазон температури переходу – до 175 °C.

Це оригінальний транзистор: перед відправкою перевіряємо відповідність маркування та справність переходів колектор-емітер і затвор-емітер. При підборі заміни орієнтуємось на клас IGBT, той самий корпус TO-247, напругу Vces не нижче 650 В, струм Ic не нижче паспортного і порівнянну напругу насичення Vce(sat). За назвою товару як заміни вказані 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC – це позначення продавця, окремої таблиці замін виробник не публікує.

Де застосовують

• Інвертори
• Зварювальні перетворювачі
• Перетворювачі з високою частотою перемикання