Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) демонтаж б/в , TO247
192,70 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор 50N60FL (NGTB50N60FLWG) виробництва onsemi у корпусі TO-247 з вбудованим швидким діодом. Демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Vce(sat), тип. | 1,65 В (VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C) |
| Вбудований діод | так, швидкий м’який |
| trr діода | 85 нс (IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C) |
| Qg | 310 нКл (VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
50N60FL (NGTB50N60FLWG) – IGBT-транзистор onsemi у корпусі TO-247 (CASE 340L) з трьома виводами: затвор, колектор, емітер. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,65 В при VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C, а при TJ = 150 °C – 1,85 В. Транзистор має вбудований швидкий м'який діод; його час зворотного відновлення trr – 85 нс при IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C. Втрати вимкнення Eoff – 0,6 мДж при VCC = 400 В, IC = 50 А, Rg = 10 Ом, VGE = 0/15 В, TJ = 25 °C. Стійкість до короткого замикання – 5 мкс при VGE = 15 В, VCE = 300 В, TJ ≤ 150 °C. Повний заряд затвора Qg – 310 нКл при VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц).
Деталь знята з плати. Інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, Vces, струм колектора, Vce(sat) та наявність діода, а також заряд затвора: якщо він суттєво більший, перевірте драйвер. Параметри наведено за datasheet на NGTB50N60FLWG; у назві є також позначення 50N60FL2 та NGTB50N60FL2WG, окремих даних для них немає. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в: деталь знята з плати та перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 50N60FL?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з тією ж розпіновкою, з Vces не нижчою за 600 В і порівнянними струмом колектора та Vce(sat). Якщо заряд затвора більший, перевірте драйвер. Перед заміною порівняйте datasheet.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Тестером перевірте відсутність пробою між колектором і емітером та між затвором і емітером. Вбудований діод має пропускати струм лише в одному напрямку.
Чи має транзистор вбудований діод?
Так, за datasheet у ньому є швидкий м'який діод (soft fast recovery).
Документація виробника: NGTB50N60FLWG, Rev. 1, January 2013 (файл онлайн змінено 2020-11-18).
Параметри наведено за datasheet виробника на NGTB50N60FLWG; для версій 50N60FL2 та NGTB50N60FL2WG з назви окремих даних немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.