Транзистори

Польові MOSFET, IGBT і біполярні транзистори, наприклад у корпусах TO-220, TO-247 і TO-3P. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в».

Показано 1–40 із 1559

Показати 20 40 80

CRJF140N65G2F – оригінальний транзистор, TO220F

В наявності

131,60 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, Super Junction (SJMOS)
Напруга Vds650 В (мін.)
Струм стоку Id24 А (Tc 25 °C), 15 А (Tc 100 °C)
Опір Rds(on)110 мОм тип. / 140 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 11 А, Tj 25 °C)
Поріг Vgs(th)3,2–4,6 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Tj max150 °C
Час відновлення діода trr120 нс тип. (Isd 11 А)
КорпусTO-220F
ВиробникChina Resources Microelectronics (Chongqing)
Вхідна ємність Ciss1595 пФ
СтанОригінал

CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал, Super Junction
ВиробникCR Micro (China Resources Microelectronics)
Напруга Vds650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)24 А (TC=25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)15.3 А (TC=100 °C)
Опір Rds(on)181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А)
Порогова напруга Vgs(th)3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А)
Вхідна ємність Ciss1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц)
Потужність Pd245 Вт (TC=25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

CRST052N15N3Z оригінальний транзистор, TO220

В наявності

122,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN
Напруга Vds150 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)168 А (за корпусом 160 А)
Струм стоку Id (TC 100 °C)106 А
Опір Rds(on)4,0 мОм тип., 5,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=80 А)
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg73,8 нКл (типово)
Вхідна ємність Ciss5096 пФ
Потужність Pd284 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

CS2698 оригінальний транзистор, TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (VGS 0 В, ID 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)15 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)9,5 А
Опір Rds(on)0,3 Ом тип., 0,4 Ом макс. (VGS 10 В, ID 7,5 А)
Поріг Vgs(th)2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID 250 мкА)
Заряд затвора Qg50 нКл (ID 15 А, VDD 250 В, VGS 10 В)
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd180 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

DXG60N65HSEU оригінальний транзистор, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 25 °C120 А
Струм Ic при 100 °C60 А
Імпульсний струм Icm240 А
Заряд затвора Qg210 нКл (тип.)
Потужність Pd416 Вт (TC = 25 °C)
Вбудований діодтак
Розпіновка1 – G, 2 – C, 3 – E
КорпусTO-247
СтанОригінал

FHA30N60 оригінальний транзистор (заміна для IXTQ30N60P , FQA30N60 , FQA30N60C , FQA30N60Y )(30A,600V), TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vdss600 В (Tj 25…150 °C)
Струм стоку Id30 А (Tc 25 °C)
Опір Rds(on)240 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 0.5·Id25)
Порогова напруга Vgs(th)3.0–5.0 В (Id 250 мкА)
Вбудований діодшвидкий
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Ciss5050 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

FHA50N50 ( 50N50 ) оригінальний транзистор (заміна для FQA50N50 , FDA50N50 ), TO-3P

В наявності

259,91 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
ВиробникFeiHong
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)50 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)31 А
Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 25 А)88 мОм тип., 105 мОм макс.
Порогова напруга Vgs(th)2,0–4,0 В
Заряд затвора Qg148 нКл
Вхідна ємність Ciss7950 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd (TC = 25 °C)500 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

FHF20T60 оригінальний транзистор, TO220F

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFeihong
ТипIGBT-транзистор (Trench Field Stop)
КорпусTO-220F
Напруга Vces600 В (TC 25 °C)
Струм Ic (TC 25 °C)40 А
Струм Ic (TC 100 °C)20 А
Напруга Vce(sat)1,49 В тип. (VGE 15 В, IC 20 А, TJ 25 °C)
Вбудований діодє
Температура переходу Tj150 °C
Заряд затвора Qg73 нКл (VCE 480 В, IC 20 А, VGE 15 В)
Вхідна ємність Cies1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

FHP13N50 оригінальний транзистор, TO220

В наявності

100,11 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В (Vgs 0, Id 250 мкА)
Струм стоку Id13 А (Tc 25 °C)
Rds(on)0,34 Ом (макс. 0,45 Ом) (Vgs 10 В, Id 6,5 А)
Заряд затвора Qg45 нКл (типове, Vds 250 В, Id 13 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss2130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Vgs(th)2–4 В
Pd150 Вт (Tc 25 °C)
Tj max150 °C
КорпусTO-220
ВиробникFeiHong
СтанОригінал

FHP170N8F3 оригінальний транзистор, TO220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss85 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, обмежено корпусом)120 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)117,2 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 50 А)4 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)208,3 Вт
Заряд затвора Qg124 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss6234 пФ (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,0…4,0 В
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

HGQ022N03A ( 022N03A ) оригінальний транзистор, PDFN5x6

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCR Micro
Тип каналуN
Напруга Vds30 В
Струм Id (TC=25 °C, кристал)140 А
Струм Id (TC=25 °C, корпус)100 А
Струм Id (TC=100 °C)94 А
Rds(on)1,6 мОм тип., 2,2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А)
Vgs(th)1,0–2,5 В
Заряд затвора Qg52,5 нКл
Вхідна ємність Ciss2758 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц)
Потужність Pd78 Вт (TC=25 °C)
КорпусPDFN-8 (5×6)
СтанОригінал

IGBT-транзистор 07096 оригінал демонтаж б/в (заміна для N718AG , N40BG , NGD8201NG , 8201NG , G18N40BG , ISL9V2040D3ST , V2040D , DB48BB , NS3801 , F5025 ), DPAK

В наявності

192,23 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT запалювання
Vces440 В (Tj 25 °C)
BVces типово395 В (Ic 2 мА)
Струм Ic20 А (Tc 25 °C)
Vce(on) типово1,3 В (Ic 10 А, Vge 4,5 В, Tj 25 °C)
Потужність Pd125 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Cies1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц)
Захист затвораESD-діод затвор–емітер
КорпусTO-252 (D-PAK)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vce600 В
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Струм колектора Icm (імпульсний)120 А
Розсіювана потужність Pd380 Вт (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)4,0…6,5 В (тип. 5,0 В)
Заряд затвора Qg100 нКл
Вбудований діод (FRD), Vfm1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C)
Вбудований діод (FRD), Trr32 нс
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор 40N60NPFD ( SGT40N60NPFD ) оригінал , TO-3P

В наявності

105,75 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSilan
ТипIGBT N-канал Field Stop з діодом
Напруга Vce600 В
Номінальний струм колектора40 А
Імпульсний струм Icm120 А
Vce(sat) typ1.8 В при Ic 40 А, Vge 15 В
Заряд затвора Qg100 нКл
Вхідна ємність Cies1850 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Час спаду tf105 нс
Tj max150 °C
Вбудований діодтак, FRD
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор 40QR21 ( GT40QR21 ) оригінал, TO3P

В наявності

289,99 ₴
ПараметрЗначення
НомерGT40QR21
Маркування40QR21
ВиробникToshiba
ТипIGBT із вбудованим діодом (RC-IGBT)
Напруга Vces1200 В
Vce(sat)1,90 В тип. (Ic 40 А, VGE 15 В, Ta 25 °C)
Потужність Pc (Tc 25 °C)230 Вт
Вхідна ємність Cies1500 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
СтанОригінал

IGBT-транзистор 40RR22 ( GT40RR22 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A), TO3P

В наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1350 В
Струм колектора40 А
Потужність Pc230 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2,05 В (тип.)
Вбудований діодтак
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В
Струм Ic при Tc 25 °C80 А
Струм Ic при Tc 100 °C40 А
Імпульсний струм Icm160 А
Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C2.0 В (макс. 2.4 В)
Потужність Pd при Tc 25 °C357 Вт
Заряд затвора Qg341 нКл
Вхідна ємність Cies6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодтак, If 40 А (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
ВиробникMagnaChip

IGBT-транзистор 40T120FES ( MBQ40T120FES ) (Заміна для 40T120FDS , MBQ40T120FDS , 40T120FDHA , MBQ40T120FDHA , IGW40T120 )(40A,1200V) , TO247

В наявності

256,62 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В
Струм Ic40 А (Tc 100 °C)
Струм Ic (25 °C)80 А (Tc 25 °C)
Vce(sat)2.0 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Pd357 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
Qg341 нКл
Вхідна ємність Cies6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє, швидкий м’який антипаралельний
КорпусTO-247
ВиробникMagnaChip

IGBT-транзистор 40T65QES оригінал ( MBQ40T65QES ) , TO247(Заміна для 40T65FDSC , MBQ40T65FDSC , MBQ40T65FESC , 40T65FESC )

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм Ic (TC=25 °C)80 А
Струм Ic (TC=100 °C)40 А
Vce(sat)1.8 В тип. / 2.3 В макс. (Ic=40А, Vge=15В, Tvj=25°C)
Vce(sat) при Tvj=175°C2.3 В
Eoff (Tvj=25°C)0.4 мДж
Eoff (Tvj=175°C)0.57 мДж
Час спаду tf64 нс
Вбудований діодтак, антипаралельний FRD, Vf=1.5В тип. при If=20А
trr діода60 нс (If=20А, diF/dt=820А/мкс)
Заряд затвора Qg60 нКл (Vce=520В, Ic=40А, Vge=15В)
Порогова напруга Vge(th)3.5–6.5 В, тип. 5.0 В
Розсіювана потужність Pd230 Вт (TC=25°C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор 40WR21 ( GT40WR21 ) оригінал, TO-3P (1800V,40A)

В наявності

564,00 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
Струм колектора Ic40 А (постійний, макс.)
Час спаду tf150 нс (Ic=40 А, тип.)
Час відновлення вбудованого діода trr1000 нс (If=15 А, тип.)
Максимальна температура переходу Tj175 °C (макс.)
Розсіювана потужність Pd375 Вт (Tc 25 °C)
СтанОригінал

IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипTrench IGBT з діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)90 А
Струм Ic (100 °C)45 А
Потужність Pd (25 °C)300 Вт
Вхідна ємність Cies3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.)2.00 В
Tj max175 °C
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) демонтаж б/в , TO247

В наявності

192,70 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга Vces600 В
Vce(sat), тип.1,65 В (VGE = 15 В, IC = 50 А, TJ = 25 °C)
Вбудований діодтак, швидкий м’який
trr діода85 нс (IF = 50 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс, TJ = 25 °C)
Qg310 нКл (VCE = 480 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies7500 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

IGBT-транзистор 50N60FL ( NGTB50N60FLWG , 50N60FL2 , NGTB50N60FL2WG ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

248,63 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
ТипIGBT (Field Stop II Trench) з вбудованим діодом
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм колектора Ic100 А (Tc = 25 °C); 50 А (Tc = 100 °C)
Vce(sat)1,80 В тип. (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)5,5 В тип. (VGE = Vce, Ic = 350 мкА)
Заряд затвора Qg220 нКл тип. (Vce = 480 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies5328 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd417 Вт (Tc = 25 °C); 208 Вт (Tc = 100 °C)
Tj max175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор 50T65FESC ( MBQ50T65FESC ) оригінал (Заміна для 50T65FDSC , MBQ50T65FDSC ), TO247

В наявності

164,97 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм Ic50 А (Tc 100 °C)
Струм Ic (25 °C)100 А (Tc 25 °C)
Vce(sat)1.85 В тип. (Ic 50 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C)
Pd375 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Qg287 нКл
Вхідна ємність Cies4453 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє
КорпусTO-247
ВиробникMagnaChip
СтанОригінал

IGBT-транзистор 60N60FD1 ( SGT60N60FD1 , SGT60N60FD1PN ) оригінал , TO-3P

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Розсіювана потужність Pd321 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. / 2.7 В макс. (60 А, 15 В)
КорпусTO-3P
Вбудований діодє (FRD)
Робоча температура Tj-55…+150 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор 60T65PES оригінал ( MBQ60T65PES ) , TO247 (650V,60A,428W)

В наявності

169,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMagnaChip
ТипIGBT n-канал (Field Stop Trench, 2-ге покоління) із діодом
Напруга колектор-емітер Vce650 В (Ic 2 мА, VGE 0 В)
Струм колектора Ic100 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C)
Vce(sat)1,85 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 60 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C
Порогова напруга Vge(th)4,0–6,0 В (тип. 5,0) при VCE = VGE, Ic 0,5 мА
Заряд затвора Qg95 нКл (тип.) при Vce 520 В, Ic 60 А, VGE 15 В
Вхідна ємність Cies2327 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Втрати вимкнення Eoff0,53 мДж (тип.) при Ic 60 А, Vcc 400 В, VGE 15 В, Rg 7 Ом, Tvj 25 °C
Час спаду tf40 нс (тип.)
Вбудований діодє
Макс. температура переходу Tvj175 °C
Потужність розсіювання Pd535 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор 70N65F ( 70N65FDM1 , SGT70N65FDM1 ) оригінал, TO247

В наявності

267,90 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор 75G60HD ( FGW75N60HD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
МодельFGW75N60HD
Напруга Vces600 В (Tc = 25 °C)
Струм Ic100 А (Tc = 25 °C); 75 А (Tc = 100 °C)
Потужність Ptot500 Вт (Tc = 25 °C)
Вхідна ємність Cies6150 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодтак, антипаралельний (FWD)
Температура переходу-40…175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор 75G60WQ ( FGW75N60WQ ) , TO247

В наявності

357,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В, IC = 200 мкА)
Напруга Vges±20 В
Струм Ic110 А (TC = 25 °C), 75 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм Icm225 А
Vce(sat)2.55 В макс. (IC = 75 А, TC = 25 °C)
Vge(th)3.0–5.0 В (VCE = VGE, IC = 75 мА, TC = 25 °C)
Потужність Pd405 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодє

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор AP85GT33SW ( 85GT33SW ) , TO3P оригінал

В наявності

211,50 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces330 В
Порогова напруга Vge(th)3,0…5,0 В
КорпусTO-3P
Маркування85GT33SW
СтанОригінал

IGBT-транзистор AUGPS4070D0 оригінал демонтаж б/в ( заміна для AUPS4070D2 , AUPS4070D1 , AUPS4070D0 , AUPS4070D1-H , AUPS4070D2-K , AUPS4070D2-L , AUPS4070D2-G , AUPS4070D2-H , AUPS4070D1-K , AUPS4070D , AUIRGPS4070D0 , AUGPS4070D1 , AUIRGPS4070D1 , IRGPS4070D , IRGPS4070DPbF , GPS4070D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT Trench з діодом Co-pak, Automotive
Напруга Vces600 В
Струм Ic (Tc 25 °C)240 А (пакетний ліміт струму 195 А)
Струм Ic (Tc 100 °C)160 А
Vce(on) тип.1.70 В (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Потужність Pd (Tc 25 °C)750 Вт
Температура переходу Tj макс.175 °C
Заряд затвора Qg250 нКл (Ic 120 А, Vge 15 В, Vcc 400 В)
Вхідна ємність Cies7600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор BT40T60 ( BT40T60ANF , BT40T60ANFD , BT40T60BNF ) , TO-3P оригінал

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Імпульсний струм ICM120 А
Vce(sat) (40А/15В/25°C)1.9 В тип. / 2.4 В макс.
Пряма напруга діода Vf1.8 В тип. / 2.6 В макс.
Розсіювана потужність Ptot280 Вт
Робоча температура Tj-55…+150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор BTS141 оригінал демонтаж б/в, D2PAK

В наявності

189,88 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vds60 В
Rds(on)25 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А, Tj 25 °C)
Rds(on) при Tj 150 °C45 мОм (typ., Vin 10 В, Id 12 А)
Rds(on) при Vin 5 В31 мОм (typ., Id 12 А, Tj 25 °C)
Обмеження струму Id(lim)25 А
Номінальний струм Id(ISO)12 А (Vin 10 В, Vds 0.5 В, Tc 85 °C)
Потужність Ptot149 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Тип каналуn-канал
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор BTS2140-1B ( BTS2140 ) оригінал, D2PAK

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT для систем запалювання
Напруга пробою BVces370–430 В
Струм колектора Ic20 А (25 °C), 14 А (110 °C)
Потужність Pd125 Вт (25 °C)
Порогова напруга Vge(th)1,3–2,2 В
КорпусD2PAK
СтанОригінал

IGBT-транзистор DG302 ( DG3C3020CL ) оригінал ( 300V,250A ) , D2PAK

В наявності

150,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces330 В
Струм колектора Ic45 А
Імпульсний струм Icp250 А
КорпусD2PAK
СтанОригінал

IGBT-транзистор DXG60N65HSE оригінал, TO247

В наявності

143,35 ₴
ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор DXG75N65HS ( DXG75N65HSE ) оригінал, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 25 °C90 А
Струм Ic при 100 °C75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,4 В (тип.)
Вбудований діодтак
КорпусTO-247
СтанОригінал

Польові, IGBT і біполярні транзистори: як розрізнити і що замовляють

Польові (MOSFET), IGBT і біполярні транзистори лежать у різних підкатегоріях: Польові транзистори, IGBT-транзистори і Біполярні транзистори. Нижче – чим вони відрізняються і як зрозуміти, яка з них потрібна.

Біполярний, польовий, IGBT: у чому різниця

Біполярний транзистор має два електронно-діркові переходи, які взаємодіють між собою. Струм у ньому створюють два типи носіїв заряду – дірки й електрони, звідси й назва. Серед біполярних у розділі є NPN і PNP. У картках частини NPN-транзисторів вказано, наприклад, «Дарлінгтона» або «рядкова розгортка ТВ».

Польовий транзистор керується електричним полем, тобто практично без витрат потужності керуючого сигналу. MOSFET – це польові транзистори з ізольованим затвором: між затвором і каналом немає електричного контакту. Серед польових у розділі найчастіше трапляються MOSFET з N-каналом, є й P-канальні.

IGBT – біполярний транзистор з ізольованим затвором. В одній структурі він поєднує два транзистори: біполярний p-n-p і польовий. Вхідні характеристики в нього подібні до характеристик польового транзистора, а вихідні – до характеристик біполярного. За швидкодією IGBT значно переважають біполярні транзистори, але поступаються МОН-транзисторам, тобто MOSFET. У картках частини IGBT вказано зворотний (антипаралельний) діод або зворотну провідність.

Як за назвами виводів зрозуміти, яка підкатегорія потрібна

  • Затвор, стік і витік – польовий транзистор.
  • База, емітер і колектор – біполярний.
  • Затвор, колектор і емітер – IGBT.

Відоме маркування деталі можна ввести в пошук. У назвах частини товарів перелічено позначення, які вони замінюють: наприклад, у назві IRF3205 вказано CEP3205, HRF3205, KEP3205 і SSF5508.

Моделі, які шукають і купують

У картках найчастіше трапляються корпуси TO-220, TO-247, TO-220F і TO-3P. Є й інші, наприклад D2PAK, TO-252, TO-92 і SOT-23. Виробники – Infineon, STMicroelectronics, onsemi, Toshiba та інші.

У розділі є нові транзистори і демонтаж. Демонтаж – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Деталі з демонтажу позначено в назві товару словом «демонтаж» або «б/в». Разом із транзисторами часто беруть мікросхеми, електролітичні конденсатори, діоди, діодні мости й оптрони. Надсилаємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя – в день оплати або наступного дня.

Часті запитання

Що таке транзистор?

Транзистор – напівпровідниковий прилад із трьома виводами. Він призначений для підсилення напруги, потужності та перемикання електричних сигналів.

Що означає n-p-n і p-n-p?

Біполярний транзистор складається з трьох областей p- і n-типу, які чергуються в послідовності p-n-p або n-p-n – звідси назва типу. Принцип роботи обох типів однаковий, а полярність напруг на електродах залежить від структури.

Які біполярні транзистори використовують частіше – n-p-n чи p-n-p?

За підручником, частіше використовують транзистори n-p-n типу, бо рухливість електронів більша, ніж дірок.

Які переваги IGBT?

IGBT поєднує переваги двох видів транзисторів. Від польових з ізольованим затвором – високий вхідний опір, низький рівень потужності керування і високу швидкість перемикання. Від біполярних – низьку залишкову напругу у ввімкненому стані.