Транзистори
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC50U ( G4PC50U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал UltraFast, без вбудованого діода |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 55 А |
| Струм Ic при 100 °C | 27 А |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Vce(on) тип. | 1,65 В (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (TC = 25 °C) |
| Qg тип. | 180 нКл (IC = 27 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC50UD ( G4PC50UD ) оригінал демонтаж б/в (600V,55A,200W) , TO247
В наявності
200,22 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 55 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 27 А (Tc = 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.0 В макс. (Ic = 27 А, Vge = 15 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є, HEXFRED, If = 25 А (Tc = 100 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH40UD оригінал демонтаж б/в( IRG4PH40UD2-E ) (1200V,41A,160W) , TO247
В наявності
243,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (IRF) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 41 А (TC = 25 °C) |
| Струм Ic (100 °C) | 21 А (TC = 100 °C) |
| Vce(on) | 2,43 В тип., 3,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 21 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Діод | є, HEXFRED, надшвидкий, м’який |
| Температура переходу Tj | −55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH50KD оригінал демонтаж б/в (1200V,45A,200W) , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRG4PH50KD |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип | IGBT n-канал із діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 45 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 24 А |
| Vce(on) | 2,77 В тип. (Ic 24 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PH50UD ( G4PH50UD ) оригінал демонтаж б/в(1200V,45A) , TO247
В наявності
243,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 45 А (Tc 25 °C); 24 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 2.78 В тип., 3.7 В макс. (Ic 24 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–6.0 В (Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 24 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, HEXFRED |
| Температура Tj | –55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRG7S313U , D2PAK
В наявності
74,73 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | від 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C, Vge 15 В); 20 А (Tc 100 °C, Vge 15 В) |
| Піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C, імпульс) |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.2–4.7 В (Vce = Vge, Ic 1.0 мА) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл тип. (Vce 240 В, Ic 12 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd | 78 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 150 °C макс. |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор IRG7S313U оригінал , D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vces (мін.) | 330 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Irp | 160 А |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (ICE 20 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd (25 °C) | 78 Вт |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP4062D ( GP4062D ) оригінал (заміна для AUGP4062D , AUIRGP4062D ) , TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP4062D |
| Маркування | GP4062D |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT n-канал із діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 48 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 24 А |
| Vce(on) | 1,60 В тип. (Ic 24 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1490 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4063D оригінал демонтаж б/в(600V,96A,330W) , TO247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 96 А (TC = 25 °C); 48 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 200 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,65 В тип., 2,14 В макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 330 Вт (TC = 25 °C); 170 Вт (TC = 100 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4,0–6,5 В (Vce = Vge, Ic = 1,4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл тип., 140 нКл макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Vcc = 400 В) |
| Вбудований діод | так, ultrafast soft recovery (Co-Pak) |
| Тип каналу | n-канал |
| Робоча температура переходу | від –55 до +175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4068D-E ( IRGP4068D ) оригінал демонтаж б/в (заміна для IRGP4069D ) , TO247
В наявності
208,68 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 96 А (Tc 25 °C); 48 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.14 В макс. (Ic 48 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В (Vce = Vge, Ic 1.4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл тип. (Ic 48 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3025 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, ultra-low Vf hyperfast |
| Потужність Pd | 330 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 175 °C макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP4086 оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер (мін.) BVCES | 300 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C, Vge 15 В) | 70 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C, Vge 15 В) | 40 А |
| Повторюваний піковий струм Irp (Tc 25 °C) | 250 А |
| Vce(on) (Ic 70 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.90 В (тип.), 2.10 В (макс.) |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 500 мкА) | 2.6–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 2250 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 160 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRGP50B60PD ( GP50B60PD , GP50B60PD1 , IRGP50B60PD1 , 50B60PD1-E ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А |
| Струм Ic при 100 °C | 45 А |
| Vce(on) типово | 2.00 В (Ic 33 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3648 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IXGQ90N33TCD1 оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (Tj 25–150 °C) | 330 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 90 А |
| Струм колектора Ic (Tc 110 °C) | 38 А |
| Імпульсний струм Icp | 360 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 45 А, Tj 25 °C) | 1.54 В (тип.), 1.80 В (макс.) |
| Vge(th) (Ic 250 мкА, Vce = Vge) | 3.0–5.0 В |
| Заряд затвора Qg | 69 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 49 нс |
| Зворотний діод | є, Vf макс. 2.0 В при If 20 А |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 200 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT040K065WED оригінал, TO247
В наявності
209,62 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 284 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,4 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1…6,9 В |
| Заряд затвора Qg | 75,3 нКл |
| Вбудований діод, Vf | 1,5 В тип. / 2,5 В макс. (Is 20 А) |
| Вбудований діод, trr | 36,6 нс (25 °C) / 288 нс (175 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K20T60 ( IKW20N60T ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А (Tc = 100 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 166 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 20 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1100 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Діод | є, EmCon HE, If = 20 А (Tc = 100 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор K30EWR5 ( IKW30N65WR5 ) оригінал, TO247
В наявності
385,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT), монолітний діод |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Струм колектора Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 117 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В (тип.), 1,8 В (макс.) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2 (мін.), 4 (тип.), 4,8 (макс.) В при Ic 0,3 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл при Ic 30 А, Vge 15 В, Vcc 520 В |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 25 В, f 1000 кГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 185 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга Vge | ±20 В (постійна) |
| Тепловий опір перехід-корпус IGBT | 0,81 К/Вт |
| Діапазон Tvj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K30H603 (IKW30N60H3) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,95 В тип., 2,40 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Діод Vf | 1,65 В тип. (If 15 А, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (Vcc 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Потужність Ptot | 187 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор K30N60HS ( SKW30N60HS , SKW30N60 ) оригінал, TO-247
В наявності
385,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 41 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| Vce(sat) | 2,8 В тип. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор K30T60 ( IKW30N60T ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 45 А (Tc 25 °C), 39 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C) |
| Діод Vf | 1,65 В тип. (If 30 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (Vcc 480 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Потужність Ptot | 187 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Маркування | K30T60 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 60.5 А |
| Vce(sat) typ | 1.35 В при Vge 15 В, Ic 50 А |
| Vge(th) typ | 4.0 В при Ic 0,5 мА |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3100 пФ |
| Ptot при Tc 25 °C | 274 Вт |
| Tvj max | 175 °C |
| Вбудований діод | так, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K50EH5 ( IKW50N65H5 )(650V,80A) , TO247 оригінал демонтаж б/в
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT TRENCHSTOP 5 H5 з діодом RAPID 1 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Струм IC при 100 °C | 56 А |
| Імпульсний струм колектора | 150 А |
| Vce(sat) при 25 °C, IC = 50 А | 1,65 В тип., 2,10 В макс. |
| Заряд затвора QG | 120 нКл |
| Потужність Ptot при 25 °C | 305 Вт |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75EES5 ( IKW75N65ES5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для K75EEL5 , IKW75N65EL5 , G75EH5 , IGW75N65H5 ), TO247
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з діодом (TRENCHSTOP 5, RAPID 1) |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Номінальний струм Ic | 75 А |
| Vce(sat) | 1,42 В (тип.), 1,75 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2–4,8 В (тип. 4,0 В) при Ic 0,75 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 164 нКл при Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В |
| Потужність Ptot | 395 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0,38 К/Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75H603 ( IKW75N60H3 ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IKW75N60H3 |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами); 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 225 А |
| Vce(sat) | 1.85 В (макс. 2.30 В) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Qg | 470 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (f 1 МГц) |
| Ptot | 428 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.00 В) при If 50 А, Tvj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор K75T60 оригінал демонтаж б/в( K75T60A , IKW75N60TA , IKW75N60T ) , TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 0,2 мА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic (105 °C) | 75 А (TC = 105 °C) |
| Імпульсний струм Ic | 225 А |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,0 В макс. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Ptot | 428 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний Emitter Controlled HE |
| Температура переходу Tj | −40…+175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор KGH15N120NDA ( 15N120NDA ) оригінал демонтаж б/в (заміна для KGT15N120NDH , 15N120NDH , MX15N120NDA ) , TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge=0 В, Ic=3 мА) |
| Струм колектора Ic | 24 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В типове (Vge=15 В, Ic=15 А, Tc 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1400 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, If=15 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор MGF65A4H ( MGF65A4L ) оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 65 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1,9 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий FRD) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор NCE20TD60B оригінал, TO220
В наявності
61,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) typ (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В |
| Qg typ (Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В) | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода typ (If 20 А) | 1.45 В |
| trr діода | 182 нс |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 135 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD60BT оригінал, TO247
В наявності
258,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 600 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE80TD65BT оригінал, TO247
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power Semiconductor |
| Напруга VCES | 650 В |
| Струм IC при 25 °C | 160 А |
| Струм IC при 100 °C | 80 А |
| Імпульсний струм | 240 А |
| VCE(sat) typ. | 1.7 В при IC 80 А, VGE 15 В, Tj 25 °C |
| VGE(th) typ. | 5.0 В |
| Qg typ. | 331 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 9188 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 390 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор NGD8201AG оригінал демонтаж б/в ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
131,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 440 В (TJ = 25 °C) |
| Напруга обмеження BVces | 370–420 В (IC = 2 мА, TJ = –40…175 °C) |
| Струм Ic | 20 А при TC = 25 °C |
| VCE(on) | 1.3 В (IC = 10 А, VGE ≥ 4.5 В) |
| Pd | 125 Вт при TC = 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Tj max | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8.0 кВ |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж