Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор K75H603 ( IKW75N60H3 ) оригінал демонтаж б/в , TO247
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K75H603 (IKW75N60H3) – швидкий IGBT Infineon TRENCHSTOP H3 з діодом, TO247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IKW75N60H3 |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами); 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 225 А |
| Vce(sat) | 1.85 В (макс. 2.30 В) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C |
| Qg | 470 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4620 пФ (f 1 МГц) |
| Ptot | 428 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.00 В) при If 50 А, Tvj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
K75H603 (IKW75N60H3) – IGBT-транзистор Infineon серії TRENCHSTOP High speed H3 зі швидким діодом у корпусі PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vce – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами) і 75 А при Tc 100 °C, імпульсний – 225 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (макс. 2.30 В) при Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C, а при Tvj 175 °C – 2.25 В. Потужність розсіювання Ptot – 428 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 470 нКл (Vcc 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4620 пФ (f 1 МГц). Втрати вимкнення Eoff – 1.70 мДж, час спаду tf – 27 нс (Tvj 25 °C, Vcc 400 В, Ic 75 А, Vge 0/15 В, Rg 5.2 Ом). Діод: If 80 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C), Vf 1.65 В (макс. 2.00 В) при If 50 А, Tvj 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, Ic при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (драйвер), наявність діода та корпус TO247. Пряма заміна за даними виробника – IKW75N60H3FKSA1. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Безперебійні джерела живлення (UPS), зварювальні перетворювачі, перетворювачі з високою частотою перемикання.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75=60, Vce(sat) 25 °C(max) 2.1 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | заряд затвора інший – перевірте драйвер; Vce(sat) порівнюйте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити K75H603?
Це те саме, що IKW75N60H3; пряма заміна за даними виробника – IKW75N60H3FKSA1. З нашого каталогу може підійти YGW75N65HP, але перевірте драйвер: заряд затвора в нього інший. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в K75H603 вбудований діод?
Так, швидкий діод з м'яким відновленням: If 80 А (Tc 25 °C), 50 А (Tc 100 °C).
Для чого застосовують K75H603?
Для UPS, зварювальних перетворювачів і перетворювачів з високою частотою перемикання.
Документація виробника: IKW75N60H3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.