Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор MGF65A4H ( MGF65A4L ) оригінал демонтаж б/в , TO-3P
282,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MGF65A4H – IGBT-транзистор Sanken зі швидким вбудованим діодом для зварювальних перетворювачів і PFC. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 65 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 1,9 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий FRD) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
MGF65A4H (псевдонім у назві – MGF65A4L) – IGBT-транзистор Sanken типу Trench Field Stop зі швидким вбудованим діодом FRD, корпус TO-3P-3L. Напруга колектор–емітер Vce – 650 В. Струм колектора Ic – 65 А при Tc 25 °C (обмежено Tj max для корпусу TO-3P-3L) і 40 А при Tc 100 °C. Vce(sat) типово 1,9 В при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C (макс. 2,37 В). Потужність розсіювання Pd – 288 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg типово 75 нКл (Vce 520 В, Ic 40 А, Vge 15 В), час спаду tf типово 40 нс при Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Діод: Vf типово 1,8 В при IF 30 А, trr типово 50 нс при IF 30 А, di/dt 700 А/мкс.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і корпус. Серія виробника має версії KGF65A4H (TO-247-3L) і FGF65A4H (TO-3PF-3L): корпус у них інший, тож по місцю встановлення вони можуть не підійти.
Де застосовують
- Зварювальні перетворювачі (Welding Converters)
- Схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити MGF65A4H?
Порівняйте Vce, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і корпус TO-3P-3L. Версії KGF65A4H (TO-247-3L) і FGF65A4H (TO-3PF-3L) виготовляє той самий виробник, але корпус у них інший.
Чи є в цього IGBT вбудований діод?
Так, швидкий діод FRD: Vf типово 1,8 В при IF 30 А, trr типово 50 нс при IF 30 А, di/dt 700 А/мкс.
Для яких схем він підходить?
За документом Sanken – для зварювальних перетворювачів і схем корекції коефіцієнта потужності (PFC).
Документація виробника: MGF65A4H (Sanken).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.