Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRG4PC50UD ( G4PC50UD ) оригінал демонтаж б/в (600V,55A,200W) , TO247
200,22 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PC50UD (G4PC50UD) – IGBT-транзистор 600 В з антипаралельним діодом для мостових схем. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 55 А (Tc = 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 27 А (Tc = 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.0 В макс. (Ic = 27 А, Vge = 15 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є, HEXFRED, If = 25 А (Tc = 100 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PC50UD (G4PC50UD) – N-канальний IGBT серії UltraFast від Infineon (International Rectifier) у корпусі TO-247AC. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 55 А при Tc = 25 °C і 27 А при Tc = 100 °C, імпульсний Icm – 220 А. Вхідна ємність Cies типово 4000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc = 25 °C (78 Вт при Tc = 100 °C). Напруга насичення Vce(on) – 1.65 В (тип.), 2.0 В (макс.) при Ic = 27 А, Vge = 15 В, Tj 25 °C. Усередині є антипаралельний діод HEXFRED з If = 25 А при Tc = 100 °C. Транзистор працює при жорсткому перемиканні 8–40 кГц, а в резонансному режимі – понад 200 кГц. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C з запасом відносно 27 А, напругу насичення та швидкість перемикання, а також корпус і розпіновку. Якщо заміна повільніша, перевірте драйвер і втрати на перемиканні.
Де застосовують
- Мостові схеми з антипаралельним діодом.
- Робота на високих частотах (жорстке перемикання 8–40 кГц, резонансний режим понад 200 кГц).
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×27, Vce(sat) 1.7 В при 40 А ≤ 1.3×1.65; діод є | швидкість перемикання не порівнювали – перевірте драйвер | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×27, Vce(sat) 1.37 В при 40 А ≤ 1.3×1.65; діод є | швидкість перемикання не порівнювали – перевірте драйвер | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×27, Vce(sat) 1.7 В при 60 А ≤ 1.3×1.65; діод є | швидкість перемикання не порівнювали – перевірте драйвер | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRG4PC50UD?
У нашому каталозі в таблиці аналогів – IGBT 600 В у TO-247, які пройшли порівняння за Vces, Ic при 100 °C і напругою насичення. Швидкість перемикання ми не порівнювали, тому перед заміною перевірте її за datasheet і підлаштуйте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
На яких частотах працює IRG4PC50UD?
Серія UltraFast: 8–40 кГц при жорсткому перемиканні та понад 200 кГц в резонансному режимі.
Чи є в IRG4PC50UD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод HEXFRED з If = 25 А при Tc = 100 °C, trr 50 нс (тип.) при If = 25 А, Vr = 200 В, di/dt = 200 А/мкс, Tj 25 °C.
Документація виробника: IRG4PC50UD-EPBF (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.