Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор K30EWR5 ( IKW30N65WR5 ) оригінал, TO247
385,40 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор K30EWR5 (IKW30N65WR5) зі зворотною провідністю і монолітним діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT), монолітний діод |
| Напруга Vces | 650 В при Tvj 25 °C |
| Струм колектора Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 117 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В (тип.), 1,8 В (макс.) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C |
| Vge(th) | 3,2 (мін.), 4 (тип.), 4,8 (макс.) В при Ic 0,3 мА, Vce = Vge |
| Заряд затвора Qg | 155 нКл при Ic 30 А, Vge 15 В, Vcc 520 В |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 25 В, f 1000 кГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 185 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга Vge | ±20 В (постійна) |
| Тепловий опір перехід-корпус IGBT | 0,81 К/Вт |
| Діапазон Tvj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
K30EWR5 (IKW30N65WR5) – IGBT зі зворотною провідністю (RC-IGBT) виробництва Infineon з вбудованим монолітним діодом, оптимізованим для ZCS-застосувань. Корпус TO-247 (PG-TO247-3), маркування K30EWR5. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 117 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,4 В (макс. 1,8 В) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C. Заряд затвора Qg – 155 нКл при Ic 30 А, Vge 15 В, Vcc 520 В. Вхідна ємність Cies типово 3700 пФ (Vce 25 В, f 1000 кГц). Розсіювана потужність Ptot – 185 Вт при Tc 25 °C. Діод: Vrrm 650 В, пряма напруга Vf типово 1,4 В при If 15 А, Tvj 25 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vces, струм Ic при однакових температурах, Vce(sat), заряд затвора Qg, параметри вбудованого діода та корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Зварювання
- PFC (корекція коефіцієнта потужності)
- ZCS-перетворювачі (комутація при нульовому струмі)
Чим замінити K30EWR5?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 650 В, вбудований діод, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в K30EWR5 вбудований діод?
Так, це RC-IGBT з монолітним діодом, оптимізованим для ZCS-застосувань. Vrrm діода – 650 В при Tvj 25 °C.
Для чого використовують K30EWR5?
За даними виробника – у зварюванні, PFC (корекція коефіцієнта потужності) і ZCS-перетворювачах.
Документація виробника: IKW30N65WR5 Reverse-Conducting IGBT, Revision 1.20.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon (Revision 1.20, 2022).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.