IGBT-транзистор IXGQ90N33TCD1 оригінал демонтаж б/в , TO-3P

IXGQ90N33TCD1 – IGBT-транзистор IXYS у корпусі TO-3P, версія D1 зі зворотним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 330 В при Tj 25–150 °C. Струм колектора Ic – 90 А при Tc 25 °C (обмеження кристала; обмеження виводів 75 А), 38 А при Tc 110 °C. Імпульсний струм Icp – 360 А при Tc до 150 °C, tp до 10 мкс, шпаруватість до 1 %. Напруга насичення Vce(sat) – 1.54 В (тип.), 1.80 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 45 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 3.0–5.0 В при Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg – 69 нКл при Ic 45 А, Vge 15 В, Vce 0.5·Vces. Вхідна ємність Cies типово 2320 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Пряма напруга діода Vf – до 2.0 В при If 20 А. Потужність розсіювання – 200 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, струм при Tc 110 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність діода і корпус TO-3P. За даними виробника прямі заміни – IXGQ90N33TC та IXGA90N33TC. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• Драйвери екранів плазмових панелей (PDP)