IGBT-транзистори
Транзистор NCE40TD60BP оригінал, TO-3P
В наявності
250,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 120 А (tp обмежено Tjmax) |
| Vce(sat) | 1,7 В тип., 1,9 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Потужність Pd | 286 Вт (Tc 25 °C), 114 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 650 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 286 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD60BP оригінал, TO-3P
В наявності
206,33 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (VGE=0 В, IC=1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC=60 А, VGE=15 В, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 316 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD65BT оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | NCE60TD65BT |
| Виробник | Wuxi NCE Power Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 319 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NGD8201AG оригінал ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vces | 440 В (макс., TJ 25 °C) |
| Струм Ic | 20 А (TC 25 °C, безперервний); 50 А імпульсний |
| Vce(on) | 1,3 В (IC 10 А, VGE ≥ 4,5 В) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST50N65HSZ ( OST50N65HSZF ) оригінал (заміна для OST50N65HSN , OST50N65HM , OST50N65HM2 ) , TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj=25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc=25 °C); 50 А (Tc=100 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В (VGE=15 В, IC=50 А, Tvj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл (VGE=15 В, VCC=520 В, IC=50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 5765 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc=25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HEM ( OST60N65HEMF ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5651 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST60N65HSX ( OST60N65HSXF ) оригінал (заміна для OST60N65HX ) , TO247
В наявності
292,34 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | OST60N65HSX |
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.5 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 366 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5607 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий і м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST75N65HSM оригінал (заміна для OST75N65HM , OST75N65HSX , OST75N65HN , OST75N65HMF ) , TO247
В наявності
320,54 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic | 90 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 300 А при Tc 25 °C |
| Vce(sat) | 1.4 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 75 А |
| Заряд затвора Qg | 201 нКл при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 75 А |
| Вхідна ємність Cies | 8165 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Потужність Pd | 405 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, швидкий м’який антипаралельний |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HM ( OST80N65HMF ) оригінал, TO247
В наявності
319,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 114 А |
| Струм Ic при 100 °C | 80 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 172 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HSM оригінал, TO247
В наявності
342,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 114 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.35 В (тип.) |
| Вбудований діод | є, trr 97 нс |
| Заряд затвора Qg | 224 нКл |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 4.2 В |
| Розсіювана потужність Pd | 395 Вт |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P40V65FDR1 ( P40V65 , SGTP40V65FDR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор Renesas RJP30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT N-канал, trench |
| Напруга Vces | 360 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 35 А |
| Імпульсний струм | 200 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %) |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC = 35 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 25 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220FL (ізольований, TO220F) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор RJH60F5 оригінал, TO247
В наявності
205,39 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал зі вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,37 В тип., 1,8 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Потужність Pc | 260,4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор RJH65T14 оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
173,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено зоною безпечної роботи); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 180 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В тип. (Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є, швидкий |
| Прямий струм діода | 20 А (Tc 100 °C) |
| trr діода | 250 нс (If = 20 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор RJP63F3 ( RJP63F3A ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 630 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Напруга VCE(sat) | 1.7 В (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор ST G60H65DFB ( GWA60H65DFB , STGWA60H65DFB ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGWA60H65DFB |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 100 °C); 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Імпульсний струм колектора | 240 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип., 2 В макс. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 306 нКл (Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | вбудований, дуже швидкий з м’яким відновленням |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор ST STGB10NB37LZ оригінал демонтаж б/в, D2PAK ( GB10NB37LZ )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з активним обмеженням напруги |
| Vces(clamped) | 410 В (IC = 2 мА, діапазон 380–440 В) |
| Струм Ic | 20 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм | 40 А |
| Vce(sat) | 1.2 В (VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 0.6–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Eas | 300 мДж |
| ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STGB10NB40LZ ( GB10NB40LZ ) оригінал , D2PAK
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGB10NB40LZ |
| Напруга обмеження Vces | 380–440 В, тип. 410 В (IC = 2 мА, VGE = 0) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В, макс. 1,8 В (VGE = 4,5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 60 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C) | 1.8 В |
| Заряд затвора Qg тип. | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 223 Вт |
| Tj макс. | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Trinno Technology |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Діод | є, If 20 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N60F2DS ( 40N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRinno |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) | 2.3 В (тип.), 2.9 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 115 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2635 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 236 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N65F2DS ( 40N65F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRINNO |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,85 В типово (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 283 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл типово (Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN60N60F2DS ( 60N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В тип., 2,20 В макс. (VGE 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл тип. (VCC 400 В, Ic 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3250 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, швидкий антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN80N60F2DS ( 80N60F2DS ) оригінал, TO-3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 1 мА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Vce(sat), типове | 1.75 В (Ic 80 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 220 нКл (Vcc 400 В, Ic 80 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5140 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 481 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT060U060EQ оригінал, TO247
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tc 25 °C) | 1.9 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 454 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3510 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | JILIN SINO |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT075N065EQ оригінал, TO247
В наявності
451,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 75 А, Tc 25 °C) | 1,6 В тип., 2,4 В макс. |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 625 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3936 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор XNF19N60T оригінал, TO220F
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Xiner (Shenzhen Invsemi) |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 19 А (умови не вказані) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 19 А, TC 25 °C) |
| Vce(sat) при 125 °C | 2.05 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (Ic 0.25 мА) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.6 В (If 19 А) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW25N120U2 оригінал, TO247
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 50 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 25 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 75 А (Vge 15 В) |
| Vce(sat) | 1,85 В тип., 2,25 В макс. (Vge 15 В, Ic 25 А, Tj 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Потужність Ptot | 210 Вт (Tj 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW30N65F1 оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. (VGE = 15 В, IC = 30 А, Tj 25 °C) | 1,90 В |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 110 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1840 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd (Tj 25 °C) | 155 Вт |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-semi |
| Стан | Оригінал |
Транзистор YGW75N65FP оригінал , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semi |
| Напруга колектор-емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic | 150 А (Tc 25 °C, обмежено Tjmax); 75 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 225 А (Vge 15 В) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.8 В (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 500 Вт (Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |