Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN40N65F2DS ( 40N65F2DS ) оригінал, TO-3P
197,40 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN40N65F2DS (40N65F2DS) – IGBT-транзистор TRINNO на 650 В з вбудованим діодом, корпус TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | TRINNO |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А при Tc 25 °C; 40 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,85 В типово (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 283 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл типово (Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
TGAN40N65F2DS (40N65F2DS) – IGBT-транзистор виробництва TRINNO у корпусі TO-3PN із вбудованим антипаралельним діодом, технологія Field Stop Trench. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,85 В типово при Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2625 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 283 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу Tvj – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на напругу Vces не нижче 650 В, струм Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А, той самий корпус і наявність діода. Заряд затвора Qg – 120 нКл типово при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В: драйвер має його витягнути. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Інвертори
- Сонячна енергетика
- Зварювання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TGAN40N65F2DS?
Підійде IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 650 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А та вбудованим діодом. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у TGAN40N65F2DS вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: If 40 А при Tc 100 °C, Vf 2,10 В типово при If 20 А, Tvj 25 °C.
Для чого використовують цей IGBT?
ДБЖ (UPS), інвертори, сонячна енергетика, зварювання. Технологія Field Stop Trench дає низькі втрати перемикання в широкому діапазоні температур.
Документація виробника: TGAN40N65F2DS.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.