Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор RJP63K2 оригінал демонтаж б/в, D2PAK
188,00 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP63K2 – IGBT-транзистор Renesas у корпусі D2PAK. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга Vces | 630 В |
| Струм Ic (Ta 25 °C) | 35 А |
| Імпульсний струм Ic | 200 А |
| Vce(sat) (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP63K2 – n-канальний IGBT-транзистор Renesas у корпусі D2PAK для швидкого силового перемикання. Напруга колектор–емітер Vces – 630 В. Струм колектора Ic – 35 А при Ta 25 °C, імпульсний – 200 А (імпульс до 10 мкс, шпаруватість до 1 %). Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В типово, 2,4 В максимум при Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Напруга затвор–емітер Vges – ±30 В, порогова Vge(off) – 2,5–5 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Заряд затвора Qg – 20 нКл при Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А. Вхідна ємність Cies – 620 пФ, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Виробник Renesas ставить на сторінці приладу позначку Obsolete, тобто серію знято з виробництва. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), Qg і корпус.
Де застосовують
- Швидке силове перемикання (High Speed Power Switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити RJP63K2?
Підбирайте IGBT у корпусі D2PAK з не меншою напругою Vces, не нижчим струмом Ic, порівнянними Vce(sat) і Qg. Порівнюйте за datasheet обох деталей.
Чи знята RJP63K2 з виробництва?
Renesas позначає прилад як Obsolete, тому нові деталі знайти важко, а демонтаж лишається доступним варіантом.
Яка технологія в RJP63K2?
Datasheet вказує серію G6H-II на технології trench gate і тонкої пластини.
Документація виробника: R07DS0468EJ0200 Rev.2.00, RJP63K2DPP-M0 (Preliminary Datasheet).
Параметри наведено за datasheet Renesas на RJP63K2DPP-M0 і RJP63K2DPK-M0 (Preliminary, 2011).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.