Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST G60H65DFB ( GWA60H65DFB , STGWA60H65DFB ) оригінал, TO247
376,00 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G60H65DFB (GWA60H65DFB, STGWA60H65DFB) – IGBT STMicroelectronics з вбудованим швидким діодом для інверторів і високочастотних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGWA60H65DFB |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Vge = 0) |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 100 °C); 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Імпульсний струм колектора | 240 А |
| Vce(sat) | 1,60 В тип., 2 В макс. (Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 375 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 306 нКл (Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | вбудований, дуже швидкий з м’яким відновленням |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
STGWA60H65DFB (у назві також GWA60H65DFB та G60H65DFB) – IGBT STMicroelectronics серії HB, trench gate field-stop, з вбудованим дуже швидким діодом з м'яким відновленням. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В при Vge = 0. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 100 °C і 80 А при Tc 25 °C (обмежено виводами). Напруга насичення Vce(sat) – 1,60 В типово, 2 В максимум при Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Ptot – 375 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Корпус TO247. У документі виробника корпус називається TO-247 з довгими виводами (long leads).
Оригінал, не демонтаж. Прямі заміни за даними виробника: STGW60H65DFB та STGWT60H65DFB. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg 306 нКл (Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В), наявність вбудованого діода і розпіновку корпусу. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Фотоелектричні інвертори
- Високочастотні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| STGW60H65DFB | названо виробником | у каталозі це демонтаж б/в; перевірте корпус і розпіновку за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STGWA60H65DFB?
За даними виробника, прямі заміни – STGW60H65DFB та STGWT60H65DFB. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet: корпус, розпіновку, Vces, Ic і Vce(sat).
Чи є в цьому IGBT вбудований діод?
Так, вбудований дуже швидкий діод з м'яким відновленням: If 60 А при Tc 100 °C. Пряма напруга Vf – 2 В типово при If 60 А, Tj 25 °C.
Який струм витримує транзистор?
Ic – 60 А при Tc 100 °C і 80 А при Tc 25 °C, обмежено виводами. Імпульсний струм колектора – 240 А, ширина імпульсу обмежена Tj max.
Документація виробника: STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB, STGWT60H65DFB, DocID024365 Rev 7.
Параметри наведено за datasheet STMicroelectronics STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB, STGWT60H65DFB (DocID024365, Rev 7).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.