Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN20N135FDL2 ( 20N135FDL2 ) оригінал, TO-3P
345,92 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN20N135FDL2 (20N135FDL2) – оригінальний IGBT-транзистор Trinno Technology на 1350 В з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Використовується в індукційному нагріві, UPS та інверторах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 1350 В (VGE = 0 В, Ic 1 мА) |
| Струм Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип., 2,2 В макс. (VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 223 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В) |
| Діод | є, If 20 А (Tc 100 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TGAN20N135FDL2 – N-канальний IGBT із вбудованим діодом, виробник Trinno Technology, технологія Field Stop Trench. Напруга колектор–емітер Vces – 1350 В при VGE = 0 В, Ic 1 мА. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,8 В (тип.), 2,2 В (макс.) при VGE 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання – 223 Вт при Tc 25 °C (86 Вт при Tc 100 °C). Максимальна температура переходу Tvj – 150 °C. Заряд затвора Qg – 120 нКл (тип.) при VCC 600 В, Ic 20 А, VGE 15 В. Енергія вимкнення Eoff – 0,51 мДж (тип.) при VCC 600 В, Ic 20 А, Rg 5 Ом, індуктивне навантаження.
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-3P (у документі виробника TO-3PN). Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) та Qg: від заряду затвора залежить навантаження на драйвер. Наявність діода теж має збігатися. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Схеми з м'яким перемиканням
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювальні апарати
- Інвертори
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TGAN20N135FDL2?
Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-3P і діодом у складі, з Vces не нижче 1350 В і струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 20 А. Порівнюйте також Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи підходить TGAN20N135FDL2 для індукційного нагріву?
Індукційний нагрів і схеми з м'яким перемиканням є серед застосувань, які вказує виробник. Vces – 1350 В, Ic – 20 А при Tc 100 °C.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так, If 20 А при Tc 100 °C, імпульсний струм 100 А.
Документація виробника: TGAN20N135FDL2 (TRINNO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.