Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE60TD60BP оригінал, TO-3P
206,33 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE60TD60BP – IGBT-транзистор NCE Power з вбудованим діодом у корпусі TO-3P, оригінал. Застосовують в кондиціонерах, інверторах і приводах електродвигунів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (VGE=0 В, IC=1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.7 В (IC=60 А, VGE=15 В, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 316 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
NCE60TD60BP – IGBT-транзистор виробництва NCE Power в корпусі TO-3P з антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE=0 В, IC=1 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 120 А при Tc=25 °C і 60 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В при IC=60 А, VGE=15 В, Tj=25 °C (максимум 1.9 В); при Tj=150 °C – 1.9 В. Заряд затвора Qg – 262 нКл (VCC=480 В, IC=60 А, VGE=15 В). Вхідна ємність Cies типово 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 316 Вт при Tc=25 °C і 126 Вт при Tc=100 °C. Час витримки короткого замикання – 3 мкс (VGE=15 В, VCC≤400 В, Tj≤150 °C). Максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc=100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (від нього залежить навантаження на драйвер) і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Кондиціонери
- Інвертори
- Приводи електродвигунів
Чим замінити NCE60TD60BP?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 600 В, струмом Ic при Tc=100 °C не нижче 60 А та вбудованим діодом. Порівняйте Vce(sat) і заряд затвора Qg (262 нКл): якщо Qg значно більший, драйвер може не впоратися. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Чи є у NCE60TD60BP вбудований діод?
Так, антипаралельний діод. Його пряма напруга Vf – 1.7 В при IF=60 А, Tc=25 °C (максимум 2.0 В).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує NCE60TD60BP?
Ic – 120 А при Tc=25 °C і 60 А при Tc=100 °C. Для розрахунку з тепловим запасом орієнтуйтеся на значення при Tc=100 °C.
Документація виробника: NCE60TD60BP (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.