Транзистор TGAN20N135FD ( 20N135FD ) оригінал, TO-3P

TGAN20N135FD (маркування 20N135FD) – IGBT-транзистор Trinno Technology у корпусі TO-3PN з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 1350 В. Струм колектора Ic – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 60 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1.8 В (мін. 1.5 В, макс. 2.3 В) при Vge 15 В, Ic 20 А, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg типово 120 нКл (макс. 180 нКл) при Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1950 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff типово 0.76 мДж при Vcc 600 В, Ic 20 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C, час спаду tf типово 105 нс за тих самих умов. Потужність розсіювання Pd – 223 Вт при Tc 25 °C і 86 Вт при Tc 100 °C. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C і Vce(sat), а також корпус і наявність діода. Прямий струм діода If – 20 А при Tc 100 °C, Vf типово 2.4 В (макс. 2.8 В) при Tc 25 °C. Відправляємо по всій Україні Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• Індукційний нагрів
• М'яке перемикання (soft switching)
• ДБЖ (UPS)
• Зварювання
• Інвертори