Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор STGB10NB40LZ ( GB10NB40LZ ) оригінал , D2PAK
235,00 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB10NB40LZ (GB10NB40LZ) – IGBT STMicroelectronics з внутрішнім обмеженням напруги, оригінал. Для автомобільного запалювання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Номер | STGB10NB40LZ |
| Напруга обмеження Vces | 380–440 В, тип. 410 В (IC = 2 мА, VGE = 0) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В, макс. 1,8 В (VGE = 4,5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 150 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
STGB10NB40LZ – IGBT виробництва STMicroelectronics у корпусі D2PAK, маркування GB10NB40LZ. Напруга обмеження Vces – 380–440 В, тип. 410 В (IC = 2 мА, VGE = 0, Tj від –40 до 150 °C). Струм колектора Ic – 20 А при TC = 25 °C і 10 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,2 В, макс. 1,8 В (VGE = 4,5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Ptot – 150 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудованого зворотного діода немає: є стабілітрони колектор–затвор для обмеження напруги та затвор–емітер для захисту від ESD (4 кВ, HBM).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу обмеження, струм Ic при TC = 100 °C, Vce(sat) при VGE = 4,5 В, енергію одиночного імпульсу Eas (300 мДж при TC = 25 °C), а також корпус і розпіновку. Пряма заміна за даними виробника – STGB25N40LZAG. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільне запалювання
Чим замінити STGB10NB40LZ?
За даними виробника, пряма заміна – STGB25N40LZAG. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у STGB10NB40LZ зворотний діод?
Ні. У кристалі є лише стабілітрони: колектор–затвор для обмеження напруги та затвор–емітер для захисту від ESD.
Для чого використовують STGB10NB40LZ?
Для автомобільного запалювання. Напруга колектора обмежується на рівні 380–440 В, енергія одиночного імпульсу Eas – 300 мДж при TC = 25 °C.
Документація виробника: STGB10NB40LZ (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.