Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор P40V65FDR1 ( P40V65 , SGTP40V65FDR1P7 ) оригінал, TO247
352,50 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
P40V65FDR1 (P40V65, SGTP40V65FDR1P7) – IGBT-транзистор Silan з антипаралельним швидким діодом, 650 В, корпус TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.65 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
P40V65FDR1 (P40V65, SGTP40V65FDR1P7) – IGBT-транзистор виробництва Silan у корпусі TO-247-3L з антипаралельним швидким діодом. Напруга колектор–емітер Vce – 650 В при Tc 25 °C. Струм колектора – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний – 120 А. Vce(sat) – 1.65 В (тип.) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 3150 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 300 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Виробник рекомендує частоту перемикання 10–60 кГц.
Позиція – оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з datasheet Vce, струм колектора при 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (111 нКл при Vce 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В) і корпус. Якщо Qg у заміни помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- фотоелектрика (сонячні інвертори)
- джерела безперебійного живлення (UPS)
- імпульсні джерела живлення (SMPS)
- корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Звірте заряд затвора з datasheet: драйвер має його витримати. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм вищий, тому заряд затвора може бути більшим: перевірте драйвер. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Напруга вища, швидкість перемикання інша: перевірте драйвер і режим схеми. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити P40V65FDR1?
У нашому каталозі є JT050N065WED, YGW75N65HP і H40R1203 (IHW40N120R3), усі в корпусі TO-247 з діодом. У JT050N065WED і YGW75N65HP напруга 650 В, як і тут; H40R1203 має вищу напругу. Перед заміною порівняйте datasheet.
На якій частоті працює P40V65FDR1?
Виробник рекомендує частоту перемикання 10–60 кГц (за кодом «F» у системі позначень виробника).
Як перевірити P40V65FDR1 перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів переконайтеся, що між виводами немає короткого замикання, а затвор не пробитий на колектор чи емітер. Вбудований діод має поводитися як звичайний діод.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: SGTP40V65FDR1P7.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.