IGBT-транзистори
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SFD оригінал демонтаж , TO247 (Заміна для 30N60F , NGTB30N60FWG , HGTG12N60A4D , 12N60A4D )
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (40 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2,3 В |
| Потужність Pd (25 °C) | 290 Вт |
| Qg | 120 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40N60SMD оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT (Field Stop 2-го покоління) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм колектора Ic | 80 А (Tc = 25 °C); 40 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 40 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В тип. (Ic = 250 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 349 Вт (Tc = 25 °C); 174 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH40T120SMD ( FGH40T120 ) оригінал демонтаж б/в (40A,1200V), TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 370 нКл тип. (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 555 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGH60N60SFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,3 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 198 нКл (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2820 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 378 Вт (Tc 25 °C); 151 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL40N120AND ( FGL40N120 , TGL40N120FD , G40N120AND ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
265,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic | 64 А (Tc 25 °C); 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,6 / 3,2 В (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg тип. | 220 нКл (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc 25 °C); 200 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор FGL60N100BNTD ( G60N100 , G60N100BNTD , TGL60N100ND1 , 60N100ND1 ) оригінал демонтаж б/в , TO264
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT Trench з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 42 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,5 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 275 нКл (Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C); 72 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор G15T120BNR3S ( CRG15T120BNR3S ) оригінал , TO-3P
В наявності
133,48 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга VCES | 1200 В |
| Струм IC при 25 °C | 30 А |
| Струм IC при 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм ICM | 45 А |
| VCE(sat) typ. | 1.95 В при IC 15 А, VGE 15 В |
| VGE(th) typ. | 5.8 В |
| Pd при 25 °C | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G30T60 ( IGW30N60T ) оригінал , TO247
В наявності
330,41 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор-емітер Vce | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(puls) | 90 А (tp обмежено Tjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.5 В тип., 2.05 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В) |
| Потужність розсіювання Ptot | 187 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Маркування | G30T60 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40N60UFD ( SGH40N60UFD ) оригінал (заміна для FGA40N60UFD ) , TO3P
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | ±20 В (Tc 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Потужність розсіювання Pd | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,1 В тип., 2,6 В макс. (Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл тип. (Vce 300 В, Ic 20 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1430 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (CO-PAK), If 15 А (Tc 100 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G50T60AK3HD оригінал ( CRG50T60AK3HD ), TO247
В наявності
144,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1,8 В (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Qg типово | 303 нКл (VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G75T60AK3HD оригінал ( CRG75T60AK3HD ), TO247
В наявності
195,05 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Технологія | Field Stop (FS) |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 150 А |
| Струм Ic при 100 °C | 75 А |
| Vce(sat) типово | 1,7 В (Ic 75 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Qg | 433 нКл (Vce 480 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 11670 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор G80N60UFD ( SGH80N60UFD ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH80N60UFD , FGH80N60FD ), TO-3P
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Vce(sat) | 2,1 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 195 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2790 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (швидкий, CO-PAK) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GD18N40LZ ( STGD18N40LZT4 , 18N40LZ ) оригінал, DPAK
В наявності
267,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з внутрішнім обмеженням напруги |
| Виробник | STMicroelectronics |
| VCES(clamped) типово | 390 В |
| VCE(sat) типово | 1.35 В (VGE 4.5 В, IC 10 А, TC 25 °C) |
| VGE(th) типово | 1.6 В |
| Qg типово | 29 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 490 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| ICP | 40 А |
| ESCIS | 180 мДж |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм Ic | 35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GS14C40L ( IRGS14C40L , IRGS14C40LTRLP ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
197,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга BVces | 370 (мін.), 400 (тип.), 430 (макс.) В при Rg 1 кОм, Ic 7 А, Vge 0 В |
| Струм колектора Ic | 20 А при Tc 25 °C, Vge 5 В; 14 А при Tc 110 °C |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 27 нКл при Ic 10 А, Vce 12 В, Vge 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В) |
| Стійкість до ESD | 6 кВ при C 100 пФ, R 1,5 кОм |
| Тепловий опір перехід-корпус | 1,2 °C/Вт |
| Діапазон Tj | -40…175 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30F122 ( 30F122 ) , TO220F оригінал демонтаж б/в( 300V , 120A )
В наявності
122,20 ₴
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
В наявності
160,74 ₴
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp | 100 А (1 мс) |
| Vce(sat) | 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц |
| Час спаду tf | 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Час спаду tf | 0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор GT45G122 оригінал демонтаж б/в ( GT45G123 , GT45G124 ) , TO220F
В наявності
169,20 ₴