Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G50T60AK3HD оригінал ( CRG50T60AK3HD ), TO247
144,29 ₴
54 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
54 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G50T60AK3HD (CRG50T60AK3HD) – оригінальний IGBT-транзистор у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, для зварювальних апаратів, сонячних інверторів і UPS.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Vce(sat) типово | 1,8 В (VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Потужність Pd | 500 Вт (Tc = 25 °C) |
| Qg типово | 303 нКл (VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | так, антипаралельний |
| Температура переходу Tj | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G50T60AK3HD (CRG50T60AK3HD) – IGBT-транзистор виробництва CR Micro в корпусі TO-247 з антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (VGE = 0 В, Ic = 250 мкА). Струм колектора Ic – 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,8 В при VGE = 15 В, Ic = 50 А, Tc = 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 500 Вт при Tc = 25 °C. Заряд затвора Qg типово 303 нКл при VCE = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В – це треба враховувати при виборі драйвера. Вхідна ємність Cies типово 7719 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat) і наявність діода, а корпус має бути той самий – TO-247. Якщо драйвер розрахований на інший заряд затвора, перевірте його запас. Запоріжжя, відправка Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Зварювання
- Сонячні інвертори
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 25 °C(max) 2.2 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 | Порівняйте заряд затвора з драйвером. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 25 °C(max) 2.1 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 | Струм вищий; перевірте драйвер. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 25 °C(max) 1.75 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 | Струм на межі правила; технологія інша, перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G50T60AK3HD?
У каталозі є JT050N065WED, YGW75N65HP і IHW40N120R3 – вони пройшли порівняння за Vces, Ic при 100 °C і Vce(sat), деталі в таблиці аналогів. Перед установкою порівняйте заряд затвора та драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує G50T60AK3HD?
100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Для розрахунку навантаження беріть значення при 100 °C.
Чи є в корпусі діод?
Так, вбудований антипаралельний діод. Його пряма напруга Vf типово 1,65 В при IF = 50 А, Tc = 25 °C.
Документація виробника: CRG50T60AK3HD (CR Micro).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.