Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

IGBT-транзистор GP10NC60KD ( STGP10NC60KD ) оригінал (Заміна для IRGB6B60KD , GB6B60KD , IRG4BC20UD ), TO220

156,04 ₴

13 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

13 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор GP10NC60KD (STGP10NC60KD) STMicroelectronics зі вбудованим швидким діодом у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vces600 В
Струм Ic (TC = 25 °C)20 А
Струм Ic (TC = 100 °C)10 А
Vce(sat) (VGE = 15 В, IC = 5 А, TC = 25 °C, тип.)2,2 В
Потужність Ptot (TC = 25 °C)65 Вт
Вхідна ємність Cies380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Діодє
КорпусTO-220
СтанОригінал
Опис

GP10NC60KD (STGP10NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-220. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 20 А при TC = 25 °C і 10 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,2 В при VGE = 15 В, IC = 5 А, TC = 25 °C (макс. 2,5 В). Заряд затвора Qg – 19 нКл при VCC = 390 В, IC = 5 А. Вхідна ємність Cies типово 380 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 82 нс при 25 °C, VCC = 390 В, IC = 5 А, RG = 10 Ом. Потужність розсіювання Ptot – 65 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Назва товару вказує: GP10NC60KD може замінити IRGB6B60KD, GB6B60KD та IRG4BC20UD; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Прямі заміни за даними виробника: STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD. Під час підбору порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.

Де застосовують

  • Високочастотне керування двигунами, SMPS і PFC (жорстке та резонансне перемикання), приводи двигунів.
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
YGP20N65T2 Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×10 = 8, діод є в обох, корпус TO-220 = TO-220 Перевірте драйвер затвора і Vce(sat) за datasheet. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити GP10NC60KD?

З нашого каталогу за правилом підбору підходить YGP20N65T2 у TO-220. За даними виробника прямі заміни – STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD. Перевіряйте корпус і драйвер затвора.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в транзисторі вбудований діод?

Так, дуже м'який швидкий антипаралельний діод. Пряма напруга діода Vf – 2 В при IF = 5 А, TJ = 25 °C (тип.).

Яку стійкість до короткого замикання має GP10NC60KD?

10 мкс при VCE = 0,5 VCES, TJ = 125 °C, RG = 10 Ом, VGE = 12 В.

Datasheet

Документація виробника: STGP10NC60KD, DS4320 Rev 9 (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGP10NC60KD, DS4320 Rev 9 (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема IR2153S оригінал, so-8

В наявності

108,57 ₴
ПараметрЗначення
Напруга верхнього каналу Voffset600 В
Макс. напруга VB625 В
Напруга обмежувача на Vcc15.6 В (тип., Ivcc=5 мА, TA 25 °C)
Частота генератора20 кГц (тип., RT=36.9 кОм, CT=1 нФ, TA 25 °C)
Скважність50 %
Мертвий час1.2 мкс (тип.)
Tr/Tf80/40 нс (CL=1000 пФ)
UVLO Vcc наростання9.0 В (тип., TA 25 °C)
UVLO Vcc спад8.0 В (тип., TA 25 °C)
Гістерезис UVLO1.0 В (тип., TA 25 °C)
Діапазон Tj-40…125 °C
КорпусSO-8
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.