Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P

216,20 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GT30J122A (30J122A) – оригінальний n-канальний IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-3P(N) для резонансних інверторів і коректорів потужності.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ТипIGBT n-канал
Напруга колектор-емітер Vces600 В
Струм колектора Ic (DC)30 А
Vce(sat)1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C
Напруга відсікання Vge(off)3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В
Час спаду tf0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В
Потужність розсіювання Pc120 Вт
Вхідна ємність Cies2500 пФ
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P
Корпус (докладно)TO-3P(N)
СтанОригінал
Опис

GT30J122A (маркування 30J122A) – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-3P(N). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic (DC) – 30 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,7 В (тип.) і 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C. Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В. Час спаду tf – 0,20 мкс (тип.) і 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В, активне навантаження. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ. Потужність розсіювання Pc – 120 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з цим транзистором Vces, Ic, Vce(sat), корпус і розпіновку, а також час спаду tf, якщо схема працює на високій частоті. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Резонансні інвертори зі струмовим резонансом (Current-Resonant Inverter Switching)
  • Коректори коефіцієнта потужності з частковим перемиканням (Partial-Switching PFC)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити GT30J122A?

Потрібен n-канальний IGBT у корпусі TO-3P(N) з Vces не нижче 600 В і струмом не меншим за 30 А. Порівняйте також Vce(sat) і час спаду tf за datasheet.

Для яких схем підходить цей IGBT?

За документом виробника – для резонансних інверторів зі струмовим резонансом і коректорів коефіцієнта потужності з частковим перемиканням.

Як перевірити GT30J122A мультиметром?

Перед перевіркою розрядіть затвор. Між колектором і емітером в обох напрямках не повинно бути короткого замикання, а між затвором і рештою виводів – провідності.

Datasheet

Документація виробника: GT30J122A(STA1,E,D (TOSHIBA).

Температура корпусу для Ic і Pc у документі не визначена.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

GT30J122A(STA1,E,D (TOSHIBA) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.