Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGL60N100BNTD ( G60N100 , G60N100BNTD , TGL60N100ND1 , 60N100ND1 ) оригінал демонтаж б/в , TO264
164,50 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор FGL60N100BNTD з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-264. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-264 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT NPT Trench з вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 42 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. / макс. | 2,5 / 2,9 В (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 275 нКл (Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 180 Вт (Tc 25 °C); 72 Вт (Tc 100 °C) |
| Діапазон Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGL60N100BNTD – IGBT-транзистор NPT Trench onsemi (Fairchild) з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-264. У назві товару також вказані позначення G60N100, G60N100BNTD, TGL60N100ND1, 60N100ND1. Напруга колектор–емітер Vces – 1000 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 42 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2,5 В типово, 2,9 В максимум при Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg – 275 нКл при Vce 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 6000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 130 нс при Vcc 600 В, Ic 60 А, Vge 15 В, індуктивне навантаження, Tc 25 °C. Вбудований діод: If 15 А при Tc 100 °C, trr 1,2 мкс типово при If 60 А, di/dt 20 А/мкс, Tc 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vces, струм колектора Ic, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність вбудованого діода та корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Зварювальні апарати
- Жорстке перемикання
Чим замінити FGL60N100BNTD?
Заміну підбирайте за datasheet: той самий корпус, Vces не нижче, порівнянні Ic, Vce(sat) і заряд затвора Qg, вбудований діод. Якщо Qg відрізняється, перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в FGL60N100BNTD вбудований діод?
Так, це IGBT з вбудованим швидким діодом. Прямий струм діода If – 15 А при Tc 100 °C; trr – 1,2 мкс типово при If 60 А, di/dt 20 А/мкс, Tc 25 °C.
Для чого використовують FGL60N100BNTD?
За даними datasheet – у ДБЖ (UPS), зварювальних апаратах і схемах із жорстким перемиканням.
Документація виробника: FGL60N100BNTD 1000 V, 60 A NPT Trench IGBT, Rev. D (документ Fairchild на сайті onsemi).
Параметри наведено за datasheet виробника Fairchild (тепер onsemi); Eoff і швидкість перемикання при 125 °C у datasheet не наведені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.