Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT35J321 оригінал, TO-3P(N)IS
379,76 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT35J321 Toshiba зі вбудованим діодом у корпусі TO-3P(N)IS. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 37 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 18 А |
| Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.) | 1,9 В |
| Потужність Pc (Tc = 25 °C) | 75 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
GT35J321 – IGBT-транзистор Toshiba з вбудованим швидким діодом між емітером і колектором у корпусі TO-3P(N)IS. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, напруга затвор-емітер Vges – ±25 В. Струм колектора Ic (DC) – 37 А при Tc = 25 °C і 18 А при Tc = 100 °C, імпульсний Icp – 100 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,9 В при IC = 50 А, VGE = 15 В (макс. 2,3 В). Час спаду tf типово 0,19 мкс при VCC = 300 В, IC = 50 А, RG = 39 Ом, активне навантаження. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pc – 75 Вт при Tc = 25 °C (30 Вт при Tc = 100 °C), максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Діод: If – 20 А (DC), Vf до 2,0 В при IF = 15 А. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм колектора при 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус TO-3P(N)IS. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Перемикання в інверторах із струмовим резонансом.
Чим замінити GT35J321?
Потрібен IGBT на 600 В і не менше струму при 100 °C в тому ж ізольованому корпусі TO-3P(N)IS, з вбудованим діодом. Порівнюйте Vce(sat) і драйвер затвора за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в GT35J321 діод?
Так, швидкий діод між емітером і колектором: If – 20 А (DC), trr до 0,2 мкс при IF = 15 А, di/dt = -100 А/мкс.
Яка напруга відсікання затвора?
Vge(off) – 3,0–6,0 В при IC = 50 мА, VCE = 5 В.
Документація виробника: GT35J321 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор GT50N322A ( 50N322A ) оригінал, TO-218
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Порогова напруга Vge(off) | 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.