Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GT50N322 ( 50N322 ) оригінал, TO-218
237,82 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT50N322 (50N322) – IGBT-транзистор Toshiba на 1000 В у корпусі TO-218 зі швидким діодом, для резонансних інверторів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp (1 мс) | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 60 А, Vge 15 В) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) |
| Vge(off) (Ic 60 мА, Vce 5 В) | 3.0–6.0 В |
| Cies (Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц) | 4000 пФ |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
GT50N322 (50N322) – IGBT-транзистор Toshiba п'ятого покоління у корпусі TO-218 (код корпусу в документі – Toshiba 2-16C1C). Параметри наведено за даташитом найближчої деталі GT50N322A. Напруга колектор-емітер Vces – 1000 В. Струм колектора Ic – 50 А (DC), імпульсний Icp – 120 А (1 мс). Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic 60 А, Vge 15 В. Порогова напруга Vge(off) – 3.0–6.0 В при Ic 60 мА, Vce 5 В. Вхідна ємність Cies – 4000 пФ (Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц). Час вимкнення toff – 0.70 мкс (тип.), час спаду tf – 0.10 мкс (тип.) при Vcc 600 В, Ic 60 А, резистивне навантаження. Є вбудований швидкий діод (FRD): Vf 1.2 В (тип.), 1.9 В (макс.) при If 15 А, Vge 0; trr 0.8 мкс (тип.) при di/dt –20 А/мкс.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic, Vce(sat), наявність швидкого діода, корпус і розпіновку. Відправка – Новою Поштою з Запоріжжя, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Інвертори з резонансом напруги
Чим замінити GT50N322?
У нашому каталозі підходящого аналога за правилами підбору немає. Заміну шукайте за datasheet: Vces не нижче 1000 В, той самий корпус і розпіновка, швидкий діод.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для яких схем призначений GT50N322?
Для інверторів з резонансом напруги (Voltage Resonance Inverter Switching Application). Час спаду tf 0.10 мкс (тип.) заданий при Vcc 600 В, Ic 60 А, резистивне навантаження.
Чи є в GT50N322 вбудований діод?
Так, швидкий діод (FRD): If 15 А (DC), 120 А (1 мс); Vf 1.2 В (тип.) при If 15 А, Vge 0.
Найближчий datasheet: GT50N322A (Toshiba).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.