Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T60A83L ( CRG15T60A83L ) оригінал, TO220
141,00 ₴
147 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
147 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор G15T60A83L (CRG15T60A83L) у корпусі TO-220, оригінал – на напругу 600 В і струм 15 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 30 А |
| Розсіювана потужність Pd | 96 Вт |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл (Vge 15 В) |
| Час затримки включення td(on) | 30 нс |
| Час затримки вимкнення td(off) | 45 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
G15T60A83L (CRG15T60A83L) – оригінальний IGBT-транзистор виробника CRMICRO у корпусі TO-220. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic – 30 А (при 25 °C) і 15 А (при 100 °C), розсіювана потужність Pd – 96 Вт. Заряд затвора Qg – 59 нКл (при Vge 15 В), час затримки включення td(on) – 30 нс, вимкнення td(off) – 45 нс. Максимальна температура переходу Tj – 150 °C. Такий силовий ключ підходить для схем, де компактний корпус TO-220 важливіший за максимальну потужність.
Перед встановленням звірте маркування на корпусі з номером G15T60A83L (CRG15T60A83L) і переконайтеся, що корпус TO-220 підходить до посадкового місця на платі. Перевіреного аналога з нашого каталогу за параметрами для цієї моделі поки немає – за потреби заміни зверніться до нас, підберемо варіант вручну за вашою схемою.
Де застосовують
- Керування двигунами (motor control)
- Джерела безперебійного живлення / коректори коефіцієнта потужності (UPS/PFC)
Чим замінити G15T60A83L?
Перевіреного аналога з нашого каталогу для цієї моделі поки немає. Підбираємо заміну вручну за вашою схемою – звертайтеся.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Звірте маркування на корпусі з номером G15T60A83L (CRG15T60A83L) і переконайтеся, що корпус TO-220 підходить до посадкового місця на платі.
Чи підходить G15T60A83L для керування двигуном?
Так, за даними виробника цей IGBT застосовують у вузлах керування двигунами та в джерелах безперебійного живлення з коректором коефіцієнта потужності (UPS/PFC).
На який струм розрахований G15T60A83L?
Струм колектора Ic – 30 А при 25 °C і 15 А при 100 °C, розсіювана потужність Pd – 96 Вт.
Документація виробника: CRG15T60A83L.
Даташит виробника звірено за копією на datasheet.lcsc.com. Vce(sat) у картці не вказано.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRST045N10N оригінал (заміна для P045N10 , BLP045N10-P ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В мін. (VGS=0 В, ID=250 мкА; тип. 115 В) |
| Струм Id (25 °C) | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (100 °C) | 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) | 3.6 мОм тип., макс. 4.5 (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА; тип. 3 В) |
| Qg | 90 нКл тип. (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Pd | 227 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.