Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30G122 оригінал ( 30G122 ) , TO220F
188,00 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT30G122 (30G122) виробництва Toshiba в корпусі TO-220F, оригінал. Каталог Toshiba відносить його до IGBT для плазмових дисплейних панелей.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | N-канальний IGBT |
| Напруга Vces | 400 В |
| Імпульсний струм колектора Icp | 120 А |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
GT30G122 (30G122) – N-канальний IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-220F (у документах Toshiba цей корпус названо TO-220SIS). У каталозі Toshiba він стоїть у розділі IGBT для плазмових дисплейних панелей на 400 В: напруга Vces – 400 В, імпульсний струм колектора Icp – 120 А. Окремого datasheet на цей номер ми не знайшли, тому решту параметрів (постійний струм, потужність, порогову напругу, наявність вбудованого діода) з каталогу назвати не можна.
Товар оригінальний, не копія. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте не лише напругу й струм, а й корпус та розпіновку виводів, а також умови вимірювання параметрів у datasheet. Спірні випадки перевіряйте за документацією виробника до монтажу. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Плазмові дисплейні панелі (схеми підтримки розряду Ysus/Xsus)
Чим замінити GT30G122?
Підходить лише деталь з тим самим корпусом та розпіновкою, з напругою Vces не нижчою за 400 В і не гіршим струмом. Порівнюйте datasheet обох деталей, адже повних параметрів GT30G122 у каталозі Toshiba немає.
Для чого використовується GT30G122?
За каталогом Toshiba – для плазмових дисплейних панелей, у схемах підтримки розряду.
Як перевірити IGBT перед монтажем?
Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також відсутність обриву виводів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: Toshiba Product Guide – Discrete IGBTs, 2008-3.
Окремий datasheet на GT30G122 не знайдено, параметри взято з каталогу Toshiba Product Guide; Vce(sat), потужність, постійний струм і наявність діода не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.