Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор G30T60 ( IGW30N60T ) оригінал , TO247

330,41 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор G30T60 (IGW30N60T) серії TRENCHSTOP від Infineon у корпусі TO-247, оригінал. Застосовується в частотних перетворювачах і джерелах безперебійного живлення.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
СеріяTRENCHSTOP
КорпусTO-247
Напруга колектор-емітер Vce600 В (Tj ≥ 25 °C)
Імпульсний струм Ic(puls)90 А (tp обмежено Tjmax)
Напруга насичення Vce(sat)1.5 В тип., 2.05 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C)
Заряд затвора Qg167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В)
Потужність розсіювання Ptot187 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
МаркуванняG30T60
СтанОригінал
Опис

IGW30N60T (маркування G30T60) – IGBT-транзистор серії TRENCHSTOP виробництва Infineon у корпусі TO-247 (PG-TO247-3). Напруга колектор-емітер Vce – 600 В (Tj ≥ 25 °C). Імпульсний струм колектора Ic(puls) – 90 А (тривалість імпульсу обмежена Tjmax). Напруга насичення Vce(sat) – 1.5 В типово, 2.05 В максимум (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C); при Tj = 175 °C – 1.9 В типово. Заряд затвора Qg – 167 нКл (VCC = 480 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В). Потужність розсіювання Ptot – 187 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Транзистор витримує коротке замикання 5 мкс (VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150 °C).

Оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня. Якщо шукаєте заміну, порівняйте з datasheet напругу Vce, струм колектора, Vce(sat), заряд затвора Qg і корпус: від заряду затвора залежить навантаження на драйвер, а від Vce(sat) – нагрів ключа.

Де застосовують

  • Частотні перетворювачі
  • Джерела безперебійного живлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Яка напруга і який корпус у G30T60?

Напруга колектор-емітер Vce – 600 В (Tj ≥ 25 °C), корпус TO-247 (PG-TO247-3).

Чим замінити IGW30N60T?

Підбирайте IGBT у тому ж корпусі TO-247 з напругою Vce не нижче 600 В і близькими Vce(sat) та зарядом затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.

Яка напруга насичення Vce(sat) у цього IGBT?

1.5 В типово і 2.05 В максимум при VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tj = 25 °C; при Tj = 175 °C – 1.9 В типово.

Datasheet

Документація виробника: IGW30N60T, TRENCHSTOP Series, Rev. 2.8.

Параметри наведено за datasheet виробника IGW30N60T (TRENCHSTOP Series, Rev. 2.8); струм колектора Ic та діод у тексті не наведено.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IGW30N60T, TRENCHSTOP Series, Rev. 2.8 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
МаркуванняK50EF5
Напруга Vce650 В
Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами)80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)56 А
Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C)1,60 В типово
Вбудований діодє (RAPID1)
Ptot (Tc 25 °C)305 Вт
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.