Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GT30J127 ( 30J127 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
188,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30J127 (30J127) – IGBT-транзистор в ізольованому корпусі для плазмових телевізійних панелей. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (Pulsed, Ta 25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Корпус (докладно) | TO-220SIS (ізольований, для монтажу в отвори) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GT30J127 (30J127) – IGBT-транзистор в ізольованому корпусі TO-220SIS для монтажу в отвори; у назві товару корпус позначено як TO220F. За листком даних напруга колектор–емітер Vces – 600 В при Ta 25 °C. Імпульсний струм колектора – 200 А (Pulsed, Ta 25 °C); постійний струм DC у таблиці листка не вказано. За описом у листку це IGBT для плазмових телевізійних панелей (PDP).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус, напругу Vces та імпульсний струм, а решту параметрів – за повним datasheet виробника, бо ключові характеристики ключа слід звіряти до встановлення. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя. Перед встановленням звірте маркування на корпусі з назвою товару.
Де застосовують
- IGBT для плазмових телевізійних панелей (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GT30J127?
Беріть IGBT у тому ж корпусі TO-220SIS (ізольований) з Vces не нижче 600 В. Решту параметрів порівнюйте за datasheet, взаємозамінність перевіряйте самостійно.
Яка напруга і струм у GT30J127?
Vces – 600 В при Ta 25 °C, імпульсний струм колектора – 200 А (Pulsed, Ta 25 °C). Постійний струм у таблиці листка не вказано.
Чому корпус у назві TO220F, а в параметрах TO-220SIS?
Це один тип: ізольований корпус для монтажу в отвори. У таблиці листка він названий TO-220SIS, в описі – TO-220.
Документація виробника: GT30J127.
У листку підтверджено лише напругу Vces, імпульсний струм і корпус; інші параметри не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
В наявності
Діод UF4007 (1000V,1A,75ns)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 1,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, TA 25 °C, максимум) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Конфігурація | одиночний |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.