Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус
282,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30J122 – оригінальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS для резонансних інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp | 100 А (1 мс) |
| Vce(sat) | 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц |
| Час спаду tf | 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
GT30J122 – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic (DC) – 30 А, імпульсний струм Icp – 100 А (1 мс). Напруга насичення Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В). Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В. Вхідна ємність Cies – 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц. Час спаду tf – 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.). Потужність розсіювання Pc – 75 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), tf і тип корпусу: корпус TO-3P(N)IS ізольований і відрізняється від звичайного TO-3P(N). Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- 4-те покоління IGBT Toshiba для резонансних інверторів (current resonance inverter switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняється GT30J122 від GT30J122A?
Це різні редакції документів і різні параметри: у GT30J122 Pc – 75 Вт, Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В. Заміну GT30J122A на цей транзистор перевіряйте за datasheet.
Який у GT30J122 корпус?
TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A) – ізольований корпус. Він відрізняється від звичайного TO-3P(N), тому перед заміною порівняйте корпуси.
Чим замінити GT30J122?
Потрібен n-канальний IGBT на 600 В і не менше ніж 30 А у корпусі TO-3P(N)IS. Порівняйте Vce(sat) і час спаду tf за datasheet.
Документація виробника: GT30J122 (Toshiba).
Температура корпусу для Ic і Pc у документі не вказана.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.

Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.