Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P(N)IS
СтанОригінал

IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус

282,00 ₴

4 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

4 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

GT30J122 – оригінальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS для резонансних інверторів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P(N)IS

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникToshiba
ТипIGBT n-канал
Напруга колектор-емітер Vces600 В
Струм колектора Ic (DC)30 А
Імпульсний струм Icp100 А (1 мс)
Vce(sat)2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В)
Напруга відсікання Vge(off)3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В
Вхідна ємність Cies2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц
Час спаду tf0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.)
Потужність розсіювання Pc75 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-3P(N)IS
СтанОригінал
Опис

GT30J122 – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba 4-го покоління в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic (DC) – 30 А, імпульсний струм Icp – 100 А (1 мс). Напруга насичення Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В). Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В. Вхідна ємність Cies – 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц. Час спаду tf – 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.). Потужність розсіювання Pc – 75 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic, Vce(sat), tf і тип корпусу: корпус TO-3P(N)IS ізольований і відрізняється від звичайного TO-3P(N). Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • 4-те покоління IGBT Toshiba для резонансних інверторів (current resonance inverter switching)
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим відрізняється GT30J122 від GT30J122A?

Це різні редакції документів і різні параметри: у GT30J122 Pc – 75 Вт, Vce(sat) – 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В. Заміну GT30J122A на цей транзистор перевіряйте за datasheet.

Який у GT30J122 корпус?

TO-3P(N)IS (Toshiba 2-16F1A) – ізольований корпус. Він відрізняється від звичайного TO-3P(N), тому перед заміною порівняйте корпуси.

Чим замінити GT30J122?

Потрібен n-канальний IGBT на 600 В і не менше ніж 30 А у корпусі TO-3P(N)IS. Порівняйте Vce(sat) і час спаду tf за datasheet.

Datasheet

Документація виробника: GT30J122 (Toshiba).

Температура корпусу для Ic і Pc у документі не вказана.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

GT30J122 (Toshiba) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.