Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GT30J322 оригінал демонтаж б/в , TO-3P(N)IS ізольований корпус
188,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор GT30J322 Toshiba зі вбудованим діодом в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P(N)IS |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Ta = 25 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp (1 мс) | 100 А |
| Vce(sat) (IC = 50 А, VGE = 15 В, тип.) | 2,1 В |
| Потужність Pc (TC = 25 °C) | 75 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GT30J322 – IGBT-транзистор Toshiba з вбудованим швидким діодом між емітером і колектором в ізольованому корпусі TO-3P(N)IS. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, напруга затвор-емітер Vges – ±20 В. Струм колектора Ic (DC) – 30 А при Ta = 25 °C, імпульсний Icp – 100 А (імпульс 1 мс). Напруга насичення Vce(sat) типово 2,1 В при IC = 50 А, VGE = 15 В (макс. 2,8 В). Час спаду tf типово 0,25 мкс при IC = 50 А. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pc – 75 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод: If – 30 А (DC), Vf до 2,0 В при IF = 30 А.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм колектора, Vce(sat), наявність діода та корпус TO-3P(N)IS. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта.
Де застосовують
- Перемикання в інверторах із струмовим резонансом.
Чим замінити GT30J322?
Потрібен IGBT на 600 В і не менше струму в тому ж ізольованому корпусі TO-3P(N)IS, з вбудованим діодом. Порівнюйте Vce(sat) і драйвер затвора за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IGBT після монтажу?
Перевірте тестером затвор на пробій відносно емітера та колектора, а також діод між емітером і колектором. Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при IC = 50 мА, VCE = 5 В.
Чи ізольований корпус GT30J322?
Так, TO-3P(N)IS – ізольований корпус Toshiba 2-16F1A.
Документація виробника: GT30J322 (Toshiba).
Струм колектора при 100 °C у документі не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.