Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30F131 оригінал , D2PAK (TO-263)
235,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30F131 – IGBT-транзистор 360 В у корпусі D2PAK (TO-263), оригінал. За каталогом Toshiba – для схем плазмових панелей.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 360 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В (тип.) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
GT30F131 – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у корпусі D2PAK (TO-263) для поверхневого монтажу. Окремого даташиту з повною таблицею немає, тому параметри наведено за каталогом Toshiba Discrete IGBTs: напруга колектор–емітер Vces 360 В, напруга насичення Vce(sat) 1,9 В (тип.) при струмі 120 А. У каталозі ця деталь стоїть у розділі для плазмових панелей (PDP). Стан – оригінал.
Каталог описує GT30F131 у корпусі TO-220SM(MXN), тому потужність і імпульсний струм з нього не наводимо. Заміну підбирайте за корпусом D2PAK (TO-263) і напругою не нижче 360 В; струм звіряйте з документацією на ваш пристрій. Перед монтажем перевірте, що посадкове місце на платі відповідає корпусу. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- схеми плазмових панелей (PDP)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити GT30F131?
Шукайте IGBT у корпусі D2PAK (TO-263) з напругою колектор–емітер не нижче 360 В. Струм і потужність звіряйте з документацією на ваш пристрій: у каталозі їх наведено для іншого корпусу.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Виміряйте опір між затвором, колектором і емітером на відсутність пробою. Повна перевірка потребує робочої схеми.
Звідки параметри GT30F131?
З каталогу Toshiba Discrete IGBTs (2011). Там на GT30F131 тільки один рядок, тому в картці лише напруга Vces і напруга насичення.
Документація виробника: Discrete IGBTs Product Guide 2011-3 (Toshiba).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діод RF1501 ( RF1501NS3S , RF1501NP3S ) , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ROHM |
| Корпус | D2PAK |
| Конфігурація | одиночний |
| Повторювана зворотна напруга VRM | 350 В (шпаруватість 0.5) |
| Постійна зворотна напруга VR | 300 В (Tc 25 °C) |
| Середній прямий струм Io | 20 А (60 Гц напівсинусоїда, Tc 54 °C) |
| Імпульсний струм IFSM | 100 А (60 Гц напівсинусоїда, Tj 25 °C) |
| Пряма напруга VF (макс.) | 1.5 В (IF 20 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR (макс.) | 10 мкА (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення trr (макс.) | 30 нс (IF 0.5 А, IR 1 А, Irr 0.25·IR, Tj 25 °C), типово 22 нс |
| Тепловий опір перехід–корпус | 2.5 °C/Вт |
| Температура переходу Tj (макс.) | 150 °C |
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.