Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G15T120BNR3S ( CRG15T120BNR3S ) оригінал , TO-3P
133,48 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G15T120BNR3S (CRG15T120BNR3S) – оригінальний IGBT-транзистор CRMICRO з вбудованим діодом, 1200 В, у корпусі TO-3P(N). Силовий ключ для схем індукційного нагріву.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга VCES | 1200 В |
| Струм IC при 25 °C | 30 А |
| Струм IC при 100 °C | 15 А |
| Імпульсний струм ICM | 45 А |
| VCE(sat) typ. | 1.95 В при IC 15 А, VGE 15 В |
| VGE(th) typ. | 5.8 В |
| Pd при 25 °C | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
G15T120BNR3S (CRG15T120BNR3S) – IGBT-транзистор виробника CRMICRO на технології Trench FS з вбудованим діодом Free Wheeling в одному корпусі TO-3P(N). Напруга колектор–емітер VCES – 1200 В (VGE 0 В, IC 1 мА, Tj 25 °C). Струм колектора IC – 30 А при TC 25 °C і 15 А при TC 100 °C, імпульсний ICM – 45 А. Напруга насичення VCE(sat) – 1.95 В typ., макс. 2.5 В (IC 15 А, VGE 15 В, Tj 25 °C). Порогова напруга VGE(th) – 5.8 В typ. (IC 250 мкА). Вхідна ємність Cies типово 1513 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 156 Вт при TC 25 °C і 62 Вт при TC 100 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінальна деталь. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу VCES (не нижче 1200 В), струм IC при 100 °C, VCE(sat) і корпус, а також наявність діода в корпусі. У каталозі зараз немає перевірених аналогів цього IGBT, тому заміну підбирайте за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силовий ключ для схем індукційного нагріву (індукційні плити).
Чим замінити G15T120BNR3S?
Шукайте IGBT з діодом у корпусі TO-3P, VCES не нижче 1200 В і струмом IC при 100 °C не менше 15 А. Порівнюйте VCE(sat) та заряд затвора Qg (81.5 нКл typ.), щоб драйвер працював без змін.
Чи є у G15T120BNR3S вбудований діод?
Так, Free Wheeling Diode в одному корпусі. Пряма напруга діода VFM – 2.7 В typ., макс. 3.2 В при IF 15 А.
Для чого використовують цей IGBT?
Як силовий ключ у схемах індукційного нагріву, зокрема в індукційних плитах.
CRG15T120BNR3S і G15T120BNR3S – це одна деталь?
Так, у назві товару вони вказані як одна позиція. Це оригінальна деталь, не демонтаж.
Документація виробника: CRG15T120BNR3S (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.