Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGH40T120SMD ( FGH40T120 ) оригінал демонтаж б/в (40A,1200V), TO247
164,50 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGH40T120SMD – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим діодом, 1200 В, 40 А, корпус TO-247-3. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 1200 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C), 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,8 В тип. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 370 нКл тип. (Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 555 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGH40T120SMD (FGH40T120) – IGBT-транзистор onsemi з антипаралельним діодом у корпусі TO-247-3. Напруга колектор–емітер Vces 1200 В при Tc 25 °C. Струм колектора Ic 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,8 В при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg типово 370 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd 555 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу Tj 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Корпус і розпіновка мають збігатися з оригіналом. Є пряма заміна за даними виробника – FGH40T120SMD-F155.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- Зварювальні апарати
- ДБЖ (UPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C 1.55 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте драйвер затвора: параметри перемикання в IHW40N120R3 інші. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевірив її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGH40T120SMD?
Прямою заміною за даними виробника є FGH40T120SMD-F155. З нашого каталогу за параметрами підходить H40R1203 (IHW40N120R3) у корпусі TO-247, дивіться таблицю аналогів.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірте відсутність пробою між виводами колектор–емітер і затвор–емітер, а також роботу вбудованого діода колектор–емітер. Затвор має бути ізольований від інших виводів.
Який заряд затвора в FGH40T120SMD?
Qg типово 370 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Драйвер затвора має це витримувати.
Документація виробника: FGH40T120SMD (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.