Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор ST STGB10NB37LZ оригінал демонтаж б/в, D2PAK ( GB10NB37LZ )
164,50 ₴
65 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
65 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор ST із активним обмеженням напруги для систем запалювання. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT N-канал з активним обмеженням напруги |
| Vces(clamped) | 410 В (IC = 2 мА, діапазон 380–440 В) |
| Струм Ic | 20 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм | 40 А |
| Vce(sat) | 1.2 В (VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 0.6–2.2 В |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Eas | 300 мДж |
| ESD (HBM) | 4 кВ |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
STGB10NB37LZ (маркування GB10NB37LZ) – N-канальний IGBT STMicroelectronics в корпусі D2PAK з активним обмеженням напруги. Напруга обмеження колектор–емітер Vces(clamped) – 410 В при IC = 2 мА (діапазон 380–440 В). Постійний струм колектора – 20 А при TC = 25 °C і 10 А при TC = 100 °C, імпульсний – 40 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.2 В при VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C (максимум 1.8 В). Порогова напруга Vge(th) – 0.6–2.2 В при IC = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 28 нКл при VCE = 328 В, IC = 10 А, VGE = 5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при TC = 25 °C, енергія одиночного імпульсу Eas – 300 мДж, захист затвора ESD – 4 кВ (HBM).
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни звіряйте напругу обмеження, струм, поріг відкриття Vge(th) і корпус. Прямі заміни за даними виробника – STGP10NB37LZ і STGB10NB37LZT4. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Системи запалювання автомобілів.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| STGB10NB37LZ | названо клієнтом у назві (GB10NB37LZ, STGB10NB37LZ), корпус D2PAK = D2PAK | Той самий номер, без пометки демонтажу в назві. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити STGB10NB37LZ?
За даними виробника, прямі заміни – STGP10NB37LZ і STGB10NB37LZT4. У нашому каталозі є STGB10NB37LZ в D2PAK, номер названо в назві товару.
Для чого цей IGBT?
Для систем запалювання автомобілів. Вбудований стабілітрон колектор–затвор дає активне обмеження напруги, стабілітрон затвор–емітер захищає затвор від електростатики.
Чому напруга Vces вказана як 410 В?
Це напруга обмеження: транзистор сам обмежує викид на колекторі. Діапазон за документом – 380–440 В при IC = 2 мА.
Документація виробника: STGB10NB37LZ (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.