Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор Renesas RJP30E2 оригінал демонтаж б/в, TO220F

141,00 ₴

3 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

3 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

RJP30E2 – IGBT-транзистор Renesas в ізольованому корпусі TO220F для високошвидкісних силових ключів. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникRenesas
ТипIGBT N-канал, trench
Напруга Vces360 В (Ta = 25 °C)
Струм Ic35 А
Імпульсний струм200 А (PW ≤ 10 мкс, скважність ≤ 1 %)
Vce(sat)1.7 В (IC = 35 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C)
Заряд затвора Qg34 нКл
Вхідна ємність Cies1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність25 Вт (Tc = 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-220FL (ізольований, TO220F)
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

RJP30E2 – N-канальний IGBT-транзистор Renesas із trench-затвором, виконаний в ізольованому корпусі TO-220FL (TO-220F). Напруга колектор–емітер Vces – 360 В при Ta = 25 °C. Постійний струм колектора Ic – 35 А (температуру корпуса для Ic в документі не вказано), імпульсний – 200 А при PW ≤ 10 мкс і скважності ≤ 1 %. Напруга насичення Vce(sat) – 1.7 В при IC = 35 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C (максимум 2.2 В). Заряд затвора Qg – 34 нКл при VGE = 15 В, VCE = 150 В, IC = 35 А. Вхідна ємність Cies типово 1160 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 150 нс при IC = 35 А, RL = 4.5 Ом, VGE = 15 В, RG = 5 Ом. Потужність розсіювання – 25 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Корпус ізольований, тому окрема прокладка під радіатор не потрібна. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, струм Ic, Vce(sat), заряд затвора Qg і корпус, а також перевіряйте, чи потрібен вбудований діод у вашій схемі. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Високошвидкісні силові ключі.
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити RJP30E2?

Підбирайте IGBT в корпусі TO220F з Vces не нижче 360 В і струмом Ic не менше потрібного у схемі. Порівнюйте Vce(sat) і заряд затвора Qg, щоб не змінився режим драйвера.

Як перевірити такий IGBT?

Тестером у режимі перевірки діодів перевірте, що немає пробою між виводами колектора, емітера і затвора. Напруга відсікання затвора за документом – 2.5–5 В при VCE = 10 В, IC = 1 мА.

Чи потрібна ізолююча прокладка?

Ні. Корпус TO-220FL ізольований, деталь можна кріпити до радіатора без окремої прокладки.

Datasheet

Документація виробника: RJP30E2 (Renesas).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

RJP30E2 (Renesas) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.