Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TGAN60N60F2DS ( 60N60F2DS ) оригінал, TO-3P
197,40 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TGAN60N60F2DS (60N60F2DS) – оригінальний IGBT-транзистор Trinno Technology з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P. Використовується в UPS, зварювальних апаратах та інверторах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Trinno Technology |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В тип., 2,20 В макс. (VGE 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 357 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл тип. (VCC 400 В, Ic 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3250 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, швидкий антипаралельний |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
TGAN60N60F2DS – N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом, виробник Trinno Technology, технологія Field Stop Trench. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,75 В (тип.), 2,20 В (макс.) при VGE 15 В, Ic 60 А, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання – 357 Вт при Tc 25 °C (143 Вт при Tc 100 °C). Максимальна температура переходу Tvj – 150 °C. Заряд затвора Qg – 150 нКл (тип.) при VCC 400 В, Ic 60 А, VGE 15 В. Вхідна ємність Cies типово 3250 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Енергія вимкнення Eoff – 0,54 мДж (тип.) при VCC 400 В, Ic 60 А, Rg 5 Ом, індуктивне навантаження.
Оригінал, не демонтаж. Корпус TO-3P (у документі виробника TO-3PN). Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) та Qg: від заряду затвора залежить, чи впорається ваш драйвер. Наявність діода теж має збігатися. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Зварювальні апарати
- Інвертори
- Сонячні інвертори
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити TGAN60N60F2DS?
Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-3P і діодом у складі, з Vces не нижче 600 В і струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 60 А. Порівнюйте також Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Який струм витримує TGAN60N60F2DS?
120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Для розрахунку орієнтуйтеся на значення при Tc 100 °C.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так, швидкий антипаралельний діод з If 60 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: TGAN60N60F2DS.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.