Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор RJH65T14 оригінал демонтаж б/в, TO247
173,90 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH65T14 – IGBT-транзистор Renesas зі швидким діодом, 650 В, у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247A |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | 30 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежено зоною безпечної роботи); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 180 А (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.45 В тип. (Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є, швидкий |
| Прямий струм діода | 20 А (Tc 100 °C) |
| trr діода | 250 нс (If = 20 А, Tc 25 °C) |
| Корпус | TO-247A |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJH65T14 – IGBT-транзистор Renesas зі швидким діодом у корпусі TO-247A. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tc 25 °C, напруга затвор–емітер Vges – 30 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C (обмежено зоною безпечної роботи) і 50 А при Tc 100 °C, імпульсний – 180 А при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.45 В тип. при Ic = 50 А, Vge = 15 В, Ta 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1750 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pc – 250 Вт при Tc 25 °C. Діод у корпусі швидкий: прямий струм 20 А при Tc 100 °C (40 А при Tc 25 °C), trr – 250 нс при If = 20 А, Tc 25 °C. Виводи: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, струм колектора при Tc 100 °C, Vce(sat), параметри діода та розпіновку корпусу. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Мікрохвильова піч
- Оптимізований для схем струмового резонансу
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити RJH65T14?
Замінник має збігатися за корпусом і розпіновкою (1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер), а Vces, струмом колектора при Tc 100 °C та параметрами швидкого діода бути не гіршим. Порівнюйте за datasheet.
Для яких схем підходить RJH65T14?
Для індукційного нагріву та мікрохвильових печей; оптимізований для схем струмового резонансу.
Чи є діод у корпусі?
Так, вбудований швидкий діод: прямий струм 20 А при Tc 100 °C, trr – 250 нс при If = 20 А, Tc 25 °C.
Документація виробника: R07DS1256EJ0110 Rev.1.10, RJH65T14DPQ-A0, 650V - 50A - IGBT.
Параметри наведено за datasheet виробника Renesas (R07DS1256EJ0110 Rev.1.10, RJH65T14DPQ-A0).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.