Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TT075N065EQ оригінал, TO247
451,20 ₴
41 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
41 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
TT075N065EQ – оригінальний IGBT-транзистор Jilin Sino-Microelectronics на 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Підходить для інверторів, UPS і приводів двигунів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 75 А, Tc 25 °C) | 1,6 В тип., 2,4 В макс. |
| Vge(th) | 4,5–6,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 625 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3936 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
TT075N065EQ – IGBT-транзистор виробництва Jilin Sino-Microelectronics у корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 150 А при Tc 25 °C (обмеження за максимальною температурою переходу) і 75 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм Icm – 300 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,6 В типово, 2,4 В максимум (Vge 15 В, Ic 75 А, Tc 25 °C). Порогова напруга Vge(th) – 4,5–6,5 В (Ic 250 мкА). Вхідна ємність Cies типово 3936 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 625 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Стан: оригінал, не демонтаж.
При заміні порівнюйте Vces, струм Ic при 100 °C і Vce(sat) з тими самими умовами вимірювання, а також корпус: у документа є й варіант TO-247-4L (суфікс GH), він має іншу розпіновку. Заряд затвора Qg – 172 нКл (Vcc 400 В, Ic 75 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C): якщо драйвер слабший за потрібний, перемикання сповільниться. Доставляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові інвертори
- UPS
- Перетворювачі DC-DC
- Приводи двигунів
- Сонячні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×75=60, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.6=2.08, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте розпіновку й драйвер затвора за даташитом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити TT075N065EQ?
Потрібен IGBT з тим самим корпусом TO-247 і розпіновкою, Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менший за 75 А (або близький до нього) і порівнянним Vce(sat). У каталозі є YGW75N65HP.
Чи є у TT075N065EQ вбудований діод?
Так. Прямий струм діода If – 150 А при 25 °C і 75 А при 100 °C, Vf – 2,0 В типово при If 75 А.
Який струм можна брати від TT075N065EQ?
Для розрахунку дивіться Ic при Tc 100 °C – 75 А. Значення 150 А дано при Tc 25 °C.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Документація виробника: TT075N065EQ (JILIN SINO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.