Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RJH60F5 оригінал, TO247
205,39 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH60F5 – IGBT-транзистор Renesas зі вбудованим швидким діодом у корпусі TO247, оригінал. Розрахований на швидке силове перемикання.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Тип | IGBT n-канал зі вбудованим швидким діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1,37 В тип., 1,8 В макс. |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Потужність Pc | 260,4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
RJH60F5 – n-канальний IGBT-транзистор Renesas зі вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний – 160 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,37 В типово, 1,8 В максимум при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Напруга затвор–емітер Vges – ±30 В, порогова Vge(off) – 4–8 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Вхідна ємність Cies типово 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pc – 260,4 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Стан – оригінал. Виробник Renesas на сторінці приладу ставить позначку Obsolete: серію знято з виробництва, тому для ремонту схем, де вона стоїть, така деталь може бути єдиним варіантом. Щоб підібрати заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), корпус і наявність вбудованого діода. Параметри наведено за datasheet виробника на RJH60F5DPQ-A0 – це серія, до якої належить RJH60F5. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидке силове перемикання (High Speed Power Switching)
- Індукційний нагрів (за даними сторінки виробника)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити RJH60F5?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з не меншою напругою Vces, струмом Ic при Tc 100 °C не нижче за 40 А, порівнянною Vce(sat) і швидким вбудованим діодом. Порівнюйте за datasheet обох деталей.
Чи є у RJH60F5 вбудований діод?
Так, вбудований швидкий діод: Vecf 1,2 В типово при If 20 А, trr 90 нс при If 20 А, diF/dt 100 А/мкс.
Для яких схем призначений RJH60F5?
Серія позначена у datasheet як High Speed Power Switching, сторінка виробника вказує IGBT для індукційного нагріву.
Документація виробника: R07DS0326EJ0200 Rev.2.00, RJH60F5DPQ-A0 (Preliminary Datasheet).
Параметри наведено за datasheet Renesas на RJH60F5DPQ-A0 (Preliminary, 2011); заряд затвора Qg у документі є лише на графіку, тому не вказаний.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.