Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NGD8201AG оригінал ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
164,50 ₴
23 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
23 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NGD8201AG (NGD8201, 8201AG) – IGBT-транзистор onsemi для систем запалювання у корпусі DPAK, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vces | 440 В (макс., TJ 25 °C) |
| Струм Ic | 20 А (TC 25 °C, безперервний); 50 А імпульсний |
| Vce(on) | 1,3 В (IC 10 А, VGE ≥ 4,5 В) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
NGD8201AG (також NGD8201, 8201AG) – N-канальний IGBT onsemi логічного рівня, призначений для запалювання (Ignition IGBT). За даташитом найближчої деталі NGD8201ANT4G (onsemi): напруга колектор–емітер Vces – 440 В (максимально допустиме значення, TJ 25 °C). Безперервний струм колектора Ic – 20 А при TC 25 °C, імпульсний – 50 А. Напруга насичення Vce(on) – 1,3 В при IC 10 А, VGE не менше 4,5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Захист від ESD (HBM) – 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ). Корпус DPAK.
Стан: оригінал, не демонтаж. Виробник у документі наводить споріднені версії NGD8201N та NGD8201AN; перед заміною порівняйте їх із вашою схемою за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі.
Де застосовують
- Системи запалювання (Ignition), прямого впорскування палива
- Драйвери індуктивних котушок, Coil-on-Plug і Driver-on-Coil
Чим замінити NGD8201AG?
У нашому каталозі підходящих аналогів зараз немає. Споріднені версії за документом виробника – NGD8201N та NGD8201AN; параметри на сторінці взято з даташиту найближчої деталі, тому точну сумісність звіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують NGD8201AG?
Для систем запалювання: драйвери індуктивних котушок, схеми Coil-on-Plug і Driver-on-Coil.
Чи є в NGD8201AG захист від ESD?
За даташитом найближчої деталі, захист від ESD (HBM) – 8 кВ при R 1500 Ом, C 100 пФ.
Найближчий datasheet: NGD8201ANT4G (onsemi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.