Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OST80N65HM ( OST80N65HMF ) оригінал, TO247
319,60 ₴
42 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
42 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
OST80N65HM – IGBT-транзистор Oriental Semiconductor зі швидким антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 114 А |
| Струм Ic при 100 °C | 80 А |
| Vce(sat) | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Pd | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 172 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Стан | Оригінал |
OST80N65HM (він же OST80N65HMF) – IGBT-транзистор Oriental Semiconductor з вбудованим швидким і м'яким антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 114 А при Tc 25 °C (розрахунковий за максимальною температурою переходу) і 80 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.6 В типово при Vge 15 В, Ic 80 А, Tvj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 395 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Заряд затвора Qg – 172 нКл типово при Vge 15 В, Vcc 520 В, Ic 80 А. Вхідна ємність Cies типово 8854 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц).
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус; якщо Qg заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора.
Де застосовують
- Індукційні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×80=64, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.6=2.08, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Запас за струмом; Qg порівняйте за datasheet, може знадобитися інший драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити OST80N65HM?
Шукайте IGBT з діодом у корпусі TO-247, у якого Vces не нижча за 650 В, а Ic при 100 °C і Vce(sat) близькі до наведених вище. Кандидат з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в OST80N65HM вбудований діод?
Так, швидкий і м'який антипаралельний діод: If 114 А при Tc 25 °C і 80 А при Tc 100 °C.
Яка порогова напруга затвора OST80N65HM?
Vge(th) – 4.5 В, діапазон 3.5–5.5 В при Vce = Vge, Id 0.5 мА.
Документація виробника: OST80N65HMF V1.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.