Транзистори
Демонтаж
IGBT-транзистор GT30J122 оригінал ,TO-3P(N)IS ізольований корпус
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Імпульсний струм Icp | 100 А (1 мс) |
| Vce(sat) | 2,1 В при Ic 50 А, Vge 15 В (макс. 2,8 В) |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ при Vce 10 В, Vge 0, f 1 МГц |
| Час спаду tf | 0,25 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) |
| Потужність розсіювання Pc | 75 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Час спаду tf | 0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор GT45G122 оригінал демонтаж б/в ( GT45G123 , GT45G124 ) , TO220F
В наявності
169,20 ₴
IGBT-транзистор GT50N322A ( 50N322A ) оригінал, TO-218
В наявності
352,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Порогова напруга Vge(off) | 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C) | 1.8 В тип., 2.4 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 126 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 250 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є (ультрашвидкий) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW40V60DF ( STGW40V60DF ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 226 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5400 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 283 Вт |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є, дуже швидкий м’який |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW45HF60WD оригінал демонтаж б/в ( STGW45HF60WD , GW45HF60WDA , GW45HF60WDB , STGW45HF60WDB , STGW45HF60WDA , STGW45HF60WDI ) , TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 70 А |
| Струм Ic при 100 °C | 45 А |
| Імпульсний струм Icp | 150 А |
| Потужність Ptot | 250 Вт при Tc = 25 °C |
| Vce(sat) | 1.68–2.50 В при Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, ультрашвидкий |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор GW60V60DF ( STGW60V60DF , GW60V60DLF ) оригінал демонтаж б/в, TO-247(Заміна для NH28AB , HGTG20N60B3D , SGA45T60SMD )
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 80 А при 25 °C |
| Vce(sat) | 1.85 В (тип.), 2.3 В (макс.) при Vge 15 В, Ic 60 А, Tj 25 °C |
| Потужність Pd | 375 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 334 нКл (тип.) при Vcc 480 В, Ic 60 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 8000 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура переходу | -55…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GWT40HP65FB ( STGWT40HP65FB ) оригінал, TO-3P
В наявності
432,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм колектора | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (тип.), 2,0 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 40 А, Tj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 210 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5412 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність | 283 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В (VGE=0 В, IC=0,5 мА) |
| Струм колектора Ic | 30 А при Tc=25 °C; 15 А при Tc=100 °C |
| Імпульсний струм колектора | 45 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,48 В (тип.), 1,70 В (макс.) при VGE=15 В, IC=15 А, Tvj=25 °C |
| Пряма напруга діода Vf | 1,55 В (тип.), 1,75 В (макс.) при IF=15 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 254 Вт при Tc=25 °C |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл (VCC=960 В, IC=15 А, VGE=15 В) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H15R1203 ( IHW15N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 30.0 А |
| Струм Ic (100 °C) | 15.0 А |
| Vce(sat) (15А/15В/25°C) | 1.48 В тип. / 1.70 В макс. |
| Пряма напруга діода Vf | 1.55 В тип. / 1.75 В макс. |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.1–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Розсіювана потужність Ptot | 254.0 Вт |
| Максимальна Tvj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20MR5 оригінал демонтаж б/в ( IHW20N120R5 )(заміна для 20N120IHR ) , TO247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N120R5 |
| Напруга Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1340 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20PR5 ( IHW20N135R5 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A) , TO-247
В наявності
145,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1360 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H20R1202 ( IHW20N120R2 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для H20R120 , IHW20N120R ), TO-247
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Soft Switching |
| Напруга VCE | 1200 В |
| Номінальний струм IC | 20 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 1,55 В (Tj = 25 °C, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Макс. температура переходу Tj,max | 175 °C |
| Напруга затвор–емітер VGE | ±20 В (перехідна, tp < 5 мс, ±25 В) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,45 К/Вт (макс.) |
| Вбудований діод | є, монолітний (body diode) |
| Корпус | TO-247 |
| Вхідна ємність Cies | 1887 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H20R1203 ( IHW20N120R3 ) оригінал, TO-247
В наявності
206,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зі зворотною провідністю (Reverse Conducting), серія Resonant Switching |
| Напруга V(BR)CES | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,50 мА) |
| Струм IC | 40 А (TC = 25 °C); 20 А (TC = 100 °C) |
| Імпульсний струм ICpuls | 60 А |
| Напруга насичення VCEsat | 1,48 В тип., 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Пряма напруга діода VF | 1,55 В тип., 1,75 В макс. (IF = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| Порогова напруга VGE(th) | 5,8 В тип. (IC = 0,50 мА, VCE = VGE) |
| Заряд затвора QG | 211 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1503 пФ |
| Розсіювана потужність Ptot | 310 Вт (TC = 25 °C) |
| Температура переходу Tvj | -40…+175 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,48 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
IGBT-транзистор H30PR5 ( IHW30N135R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N135R5 |
| Напруга Vces | 1350 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 30 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.65 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 330 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1810 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1202 ( IHW30N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) тип. | 1,65 В (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) тип. | 5,8 В |
| Заряд Qg тип. | 198 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2589 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Eoff тип. | 2,4 мДж (Tj 25 °C) |
| Час спаду tf тип. | 33 нс (Tj 25 °C) |
| Діод | є, Vf 1,55 В |
| Потужність | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1203 ( IHW30N120R3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
225,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT зворотно-провідний, N-канал |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) тип. | 1.55 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність Ptot (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Температура переходу Tvj макс. | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 263 нКл (Vcc 960 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2038 пФ |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30R1602 ( IHW30N160R2 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Аналог за маркуванням | IHW30N160R2 |
| Напруга Vce | 1600 В |
| Струм Ic | 60 А при Tc 25 °C; 30 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 90 А |
| Vce(sat) | 1.8 В (макс. 2.1 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tj 25 °C |
| Qg | 94 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2740 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 312 Вт при Tc 25 °C |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є, Vf 1.65 В (макс. 2.0 В) при If 30 А, Tj 25 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал демонтаж б/в , TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Модель | IHW30N160R5 |
| Напруга Vces | 1600 В (Tvj = 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc = 25 °C); 39 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat), типово | 1.85 В (VGE = 15 В, Ic = 30 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 263 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ |
| Вбудований діод | так |
| Температура переходу | -40…175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор H40PR5 ( IHW40N135R5 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce (Tvj 25 °C) | 1350 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) typ (Ic 40 А, Vge 15 В, Tvj 25 °C) | 1.65 В |
| Vf діода typ (If 40 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 394 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2360 пФ |
| Макс. температура Tvj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
183,77 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор HGTG10N120BND оригінал (1200V,35A,298W) , TO247
В наявності
202,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (ON Semiconductor) |
| Тип | IGBT NPT з антипаралельним швидким діодом |
| Напруга BVCES | 1200 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм IC25 | 35 А (TC = 25 °C) |
| Струм IC110 | 17 А (TC = 110 °C) |
| Імпульсний струм ICM | 80 А |
| Напруга насичення VCE(sat) | 2,45 В тип., 2,7 В макс. (IC = 10 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(ON) | 100 нКл тип., 120 нКл макс. |
| Розсіювана потужність PD | 298 Вт (TC = 25 °C) |
| Діапазон температур переходу TJ | -55…150 °C |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,42 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40U ( G4PC40U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм | 160 А |
| Vce(on) | 1,72 В тип., 2,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл тип. (IC = 20 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40UD ( G4PC40UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
213,85 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з антипаралельним діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(on) тип. | 1,72 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2100 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод If | 15 А (TC = 100 °C) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
IGBT-транзистор IRG4PC40W ( G4PC40W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал, без вбудованого діода |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(on) тип. | 2,05 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3,0–6,0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Ets тип. | 0,34 мДж (IC = 20 А, VCC = 480 В, VGE = 15 В, RG = 10 Ом, Tj 25 °C) |
| Робоча температура Tj | від -55 до +150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |